买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉丰田自动车株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148784B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210159970.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由旦野克典设计研发完成，并于2022-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体装置。在半导体装置中，多个p型半导体层以与n型氧化镓半导体层相接的方式层叠于n型氧化镓半导体层的一个面侧，第一电极体层以与多个p型半导体层相接，且在多个p型半导体层彼此分离的部分处与n型氧化镓半导体层相接的方式层叠于n型氧化镓半导体层的一个面侧，第二电极体层以与n型氧化镓半导体层相接的方式层叠于n型氧化镓半导体层的另一个面侧，其中，p型半导体层各自与相对于p型半导体层各自而言最接近的p型半导体层之间的最短距离是0.4μm～1.0μm。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具有第一电极体层、多个p型半导体层、n型氧化镓半导体层以及第二电极体层， 多个所述p型半导体层以与所述n型氧化镓半导体层相接的方式层叠于所述n型氧化镓半导体层的一个面侧， 所述第一电极体层以与多个所述p型半导体层相接且在多个所述p型半导体层彼此分离的部分处与所述n型氧化镓半导体层相接的方式层叠于所述n型氧化镓半导体层的所述一个面侧， 所述第二电极体层以与所述n型氧化镓半导体层相接的方式层叠于所述n型氧化镓半导体层的另一个面侧， 其中， 所述p型半导体层各自与相对于所述p型半导体层各自而言最接近的所述p型半导体层之间的最短距离是0.4μm～1.0μm， 所述n型氧化镓半导体层在层叠有多个所述p型半导体层的一侧具有多个沟槽构造， 多个所述p型半导体层具有： 第一p型半导体层，在多个所述沟槽构造的凹部内以比所述凹部的深度低的厚度层叠；以及 第二p型半导体层，层叠于多个所述沟槽构造间的凸部上，且 所述第一p型半导体层与所述第二p型半导体层最接近， 所述第一电极体层与所述第一p型半导体层以及所述第二p型半导体层相接，且在多个所述沟槽构造的侧面以与所述n型氧化镓半导体层相接的方式层叠， 所述半导体装置还具备具有多个所述沟槽构造的周边耐压构造， 在所述周边耐压构造中，具有： 第三p型半导体层，在多个所述沟槽构造的凹部内以比所述凹部的深度低的厚度层叠；以及 第四p型半导体层，层叠于多个所述沟槽构造间的凸部上，且 所述第三p型半导体层与所述第四p型半导体层最接近。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人丰田自动车株式会社，其通讯地址为：日本爱知县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。