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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利鳍式场效应晶体管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172167B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210783431.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权鳍式场效应晶体管的制造方法是由席付春;薛培堃;陈明志设计研发完成，并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本鳍式场效应晶体管的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种鳍式场效应晶体管的制造方法，先根据待形成的伪栅的原始宽度使形成的每个伪栅的宽度均小于伪栅的原始宽度，由此可以减小伪栅的整体宽度，从而可以减小位于鳍部上的伪栅的宽度，后续刻蚀伪栅以形成位于所述层间介质层中的介质层开口时，位于鳍部上的伪栅的刻蚀速率小于位于所述鳍部之间的中间区域的伪栅的刻蚀速率，可以使位于鳍部上的介质层开口的宽度与所述鳍部之间的介质层开口的宽度之间的第二宽度差，小于位于鳍部上的伪栅的宽度与所述鳍部之间的中间区域的伪栅宽度之间的第一宽度差，使位于鳍部上的栅极的宽度与所述鳍部之间的中间区域的栅极的宽度相差较小。

本发明授权鳍式场效应晶体管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有至少两个分立的鳍部，所述鳍部以及所述半导体衬底上形成有伪栅材料层； 提供待形成的伪栅的原始宽度； 刻蚀所述伪栅材料层以形成横跨所述鳍部的至少两个伪栅，每个所述伪栅的宽度均小于伪栅的原始宽度，并且每个所述伪栅的宽度均小于待形成的栅极的目标宽度，且相邻的所述伪栅之间具有伪栅开口，位于鳍部上的伪栅的宽度与所述鳍部之间的中间区域的伪栅的宽度之间具有第一宽度差； 在所述伪栅开口中填充层间介质层，所述层间介质层的顶面与所述伪栅的顶面平齐； 刻蚀所述伪栅直至去除所述伪栅，以形成位于所述层间介质层中的介质层开口，其中，在刻蚀所述伪栅时，位于鳍部上的伪栅的刻蚀速率小于位于所述鳍部之间的中间区域的刻蚀速率； 将位于鳍部之间的介质层开口的宽度增大至所述目标宽度，位于鳍部上的介质层开口的宽度与所述鳍部之间的介质层开口的宽度之间具有第二宽度差，所述第二宽度差小于所述第一宽度差；以及， 在宽度增大后的所述介质层开口中填充具有所述目标宽度的栅极，所述栅极的顶面与所述层间介质层的顶面平齐。

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