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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种基于WS2的有机光伏界面传输层及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172595B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210725521.8，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种基于WS2的有机光伏界面传输层及其制备方法与应用是由何志才;刘芃;黄艺嵩;李涛设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于WS2的有机光伏界面传输层及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种由机械剥离制备的二硫化钨纳米片薄膜及其在有机光伏中的应用。本发明中，通过使用低温超声剥离法结合水醇混合溶液对二硫化物粉末进行剥离，减少WS2剥离过程中的聚集，同时提高机械剥离效果。这一方式简化了WS2纳米片的制备工艺要求，有利于投入到商业化生产中。将制备的二硫化钨纳米片旋涂在未经plasma处理的ITO基板上，同时使用60℃进行快速退火，能够获得致密、高透光性和高空穴传输特性的薄膜。本发明的薄膜在有机太阳能电池中不仅具有高的空穴传输性能，而且比传统空穴传输材料PEDOT:PSS具有更高的短路电流和器件效率，在半透明有机光伏的中具有极大的研究价值和应用潜力。

本发明授权一种基于WS2的有机光伏界面传输层及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种基于WS2的有机光伏界面传输层制备方法，包括如下步骤： 1在二硫化钨粉末中加入去离子水和乙醇的混合溶液，配制为浓度5~15mgmL的混合溶液； 2在带有超声探头的超声波纳米材料分散器中以500~1000W的功率进行超声，同时保持溶液为0~5℃的低温； 3对超声剥离后的溶液进行离心处理，保留其上清液，得到二硫化钨纳米片溶液； 4所述二硫化钨纳米片溶液直接通过旋涂的方式，在干净的铟锡氧化物ITO基板上形成致密薄膜，并且ITO不需要经过O-plasma处理，得到基于WS的有机光伏界面传输层； 经机械剥离得到的二硫化钨纳米片溶液，浓度为0.5~1.5mgmL，通过旋涂、刮涂或喷涂其中一种方式到未经O-plasma处理的ITO基板上，并以60℃退火5min，薄膜厚度约为1~5nm； 所述纳米片为由单层和少层结构组成，其中，单层纳米片厚度为1~5nm，长度为10~15nm；少层纳米片厚度为10~60nm，长度为40~300nm。

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