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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利电源调制管理压块及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188755B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210713676.X，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权电源调制管理压块及其制备方法是由张一尘;许春良;斛彦生;余若祺;银军;倪涛;徐守利;刘志军设计研发完成，并于2022-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本电源调制管理压块及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请适用于微波射频功率管及模块组件技术领域，提供了电源调制管理压块及其制备方法，该压块包括：压块盖板、电源管理电路元器件、电源管理电路板、电容、MOS管、电容电路板、MOS管电路板和压块壳体；压块壳体外侧设置有用于固定电源调制管理压块的多个螺丝孔洞，压块壳体内侧设置有用于对电源管理电路板进行支撑和接地的凸起，压块壳体下部具有用于固定功率管的功率管固定空腔，压块盖板位于压块壳体上方。本申请可以解决调制电路体积过大问题，还可以实现对功率器件的固定，有效提高功率模块的工作可靠性和小型化。

本发明授权电源调制管理压块及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电源调制管理压块，其特征在于，所述电源调制管理压块包括：压块盖板、电源管理电路元器件、电源管理电路板、电容、MOS管、电容电路板、MOS管电路板和压块壳体； 所述电源管理电路元器件、所述电源管理电路板、所述电容、所述MOS管、所述电容电路板和所述MOS管电路板放置于所述压块壳体内，且纵向由上至下的顺序为：电源管理部分和电容及MOS管部分；所述电源管理部分包括：所述电源管理电路元器件和所述电源管理电路板；所述电容及MOS管部分包括：所述电容、所述MOS管、所述电容电路板和所述MOS管电路板； 所述压块壳体外侧设置有用于固定所述电源调制管理压块的多个螺丝孔洞，所述压块壳体内侧设置有用于对所述电源管理电路板进行支撑和接地的凸起，所述压块壳体下部具有用于固定功率管的功率管固定空腔，所述压块盖板位于所述压块壳体上方；其中，压块壳体的尺寸根据功率管的尺寸确定； 所述功率管固定空腔高度为3.9mm，所述功率管固定空腔顶端与功率管封装壳体顶端之间设置有至少0.1mm的安全距离； 所述电源管理部分对应的所述压块壳体部分高度为3.5mm； 所述电容及MOS管部分对应的所述压块壳体部分高度为3.7mm。

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