中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司施维获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206936B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110390759.5，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体结构及其形成方法是由施维;熊鹏;李强;金吉松;吴轶超设计研发完成，并于2021-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有核心层；在核心层中形成沿第一方向延伸的间隔槽、以及沿第一方向延伸的多个平行排列的第一沟槽，间隔槽沿第二方向的尺寸小于或等于两倍侧墙宽度，且第一沟槽沿第二方向的尺寸大于两倍侧墙宽度，在第一方向上，相邻第一沟槽通过间隔槽相连通，或者，第一沟槽和间隔槽沿第二方向平行排列，其中，第二方向平行于基底表面且垂直于第一方向；形成覆盖第一沟槽侧壁的侧墙，侧墙还填充于间隔槽中，作为间隔层；形成间隔层后，去除剩余的核心层，形成第二沟槽；以侧墙和间隔层为掩膜，沿第一沟槽和第二沟槽刻蚀基底，形成目标图形。本发明实施例有利于提高图形传递的精度。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 多个第一目标结构，位于所述基底中，所述第一目标结构沿第一方向延伸并沿第二方向平行排列，所述第二方向平行于所述基底表面且垂直于所述第一方向； 多个第二目标结构，位于所述基底中，所述第二目标结构沿所述第一方向延伸并沿第二方向平行排列，在所述第二方向上，所述第二目标结构位于相邻所述第一目标结构之间且与所述第一目标结构相隔离； 其中，所述第二目标结构与相邻第一目标结构之间具有第一间距，沿所述第一方向上的相邻所述第一目标结构之间的区域中，相邻所述第二目标结构具有第二间距，所述第二间距小于或等于两倍的所述第一间距；或者，所述第二目标结构与相邻第一目标结构之间具有第一间距，所述第一目标结构一侧的相邻所述第二目标结构之间具有第二间距，所述第二间距小于或等于两倍的所述第一间距。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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