意法半导体(鲁塞)公司F·梅鲁尔获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉意法半导体(鲁塞)公司申请的专利沟槽存储器中位可擦嵌入式选择获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206985B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210382257.2，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权沟槽存储器中位可擦嵌入式选择是由F·梅鲁尔;A·马扎基;M·阿克巴尔设计研发完成，并于2022-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽存储器中位可擦嵌入式选择在说明书摘要公布了：本公开涉及沟槽存储器中位可擦嵌入式选择。在实施例中，存储器单元包括与第二导电类型的第二掺杂阱接触的第一导电类型的第一掺杂阱，第二导电类型与第一导电类型相反，与第一导电类型的第四掺杂阱接触的第二导电类型的第三掺杂阱，与第二阱和第四阱接触的第一壁，第一壁包括导电的或半导体芯和绝缘护套，层的堆叠包括至少部分覆盖第二阱和第四阱的第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层和第二半导体层，以及位于第二阱和第四阱以及第一壁下方的第三半导体层。
本发明授权沟槽存储器中位可擦嵌入式选择在权利要求书中公布了：1.一种存储器单元，包括： 第一导电类型的第一掺杂阱，与第二导电类型的第二掺杂阱接触，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反； 所述第二导电类型的第三掺杂阱，与所述第一导电类型的第四掺杂阱接触； 第一壁，与所述第二掺杂阱和所述第四掺杂阱接触，所述第一壁包括导电芯或半导体芯和绝缘护套； 层的堆叠，包括至少部分覆盖所述第二掺杂阱和所述第四掺杂阱的第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层和第二半导体层；以及 第三半导体层，位于所述第二掺杂阱和所述第四掺杂阱以及所述第一壁的下方。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(鲁塞)公司，其通讯地址为：法国鲁塞；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励