日立能源瑞士股份公司M·纳瓦兹获国家专利权
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龙图腾网获悉日立能源瑞士股份公司申请的专利包括石墨烯的半导体功率模块获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115241142B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210862542.4,技术领域涉及:H01L23/373;该发明授权包括石墨烯的半导体功率模块是由M·纳瓦兹设计研发完成,并于2017-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括石墨烯的半导体功率模块在说明书摘要公布了:本发明涉及一种半导体功率模块,该半导体功率模块包括导电和导热基板14和半导体芯片12,并且其中第一石墨烯层32被放置在半导体芯片12和基板14之间,与基板14的第一侧面电接触和热接触。因此改进了半导体功率模块的冷却。
本发明授权包括石墨烯的半导体功率模块在权利要求书中公布了:1.一种半导体功率模块10,包括 导电和导热基板14, 半导体芯片12,所述半导体芯片被实现为开关并且为碳化硅芯片, 在所述半导体芯片12与所述基板14之间的第一石墨烯层32,其中所述层32与所述基板14的第一侧电接触和热接触, 在所述芯片12与所述第一石墨烯层32之间的所述芯片12的第一侧上具有低熔点的第一金属层34, 在所述芯片12的第二相对侧上具有低熔点的第二金属层36, 在所述第二金属层36的顶部上的上部基板38, 在所述上部基板38的顶部上的顶部电极40,以及 在所述基板14的第二相对侧上的第二石墨烯层20, 其中,所述第一金属层34和所述第二金属层36中的至少一者的熔点在500℃-700℃的范围内,并且 其中,所述基板14形成所述开关的集电极侧触头,并且所述顶部电极40形成所述开关的发射极侧触头,并且 其中,所述第一金属层和所述第二金属层被设置用于获得所述半导体芯片的短路故障模式,所述第一金属层和所述第二金属层与所述半导体芯片形成导电合金,以在短路故障模式条件下承载负载电流,并且 其中,所述半导体功率模块还包括上板16、电流旁路元件24、以及弹簧26,其中,所述弹簧设置在所述电流旁路元件的上部和下部之间, 其中,所述半导体芯片经由所述第二金属层、所述上部基板、所述顶部电极、所述电流旁路元件以及所述弹簧连接到所述上板,并且 其中,所述上板向下按压在所述电流旁路元件的上部上,并且经由弹簧偏置到所述电流旁路元件的下部,以便确保所述半导体芯片和所述上板之间经由所述第二金属层、所述上部基板以及所述顶部电极的电流接触以及所述半导体芯片和所述基板之间经由所述第一石墨烯层和所述第一金属层的电流接触, 其中,所述半导体功率模块10还包括多个附加半导体芯片,每个附加半导体芯片经由所述第一石墨烯层32连接到所述基板14。
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