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龙图腾网获悉清华大学申请的专利SiC MOSFET结温监测方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115248365B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210719772.5，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权SiC MOSFET结温监测方法、装置、设备及介质是由张品佳;张擎昊;陆格野设计研发完成，并于2022-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本SiC MOSFET结温监测方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本申请涉及电力电子器件状态监测技术领域，特别涉及一种SiCMOSFET结温监测方法、装置、设备及介质，方法包括：获取被测碳化硅金属氧化物场效应管SiCMOSFET的通态电流和通态电压；根据通态电流和通态电压计算其通态电阻；基于预先建立的通态电阻和结温之间的映射关系，根据测得通态电阻计算SiCMOSFET结温。由此，解决了相关技术中的结温监测方法只能应用于较窄的开关频率范围，且精度受器件老化影响严重等问题，通过提出新型的通态压降在线测量电路以及考虑老化的SiCMOSFET结温监测策略，提高了工作频率，降低了成本以及器件老化对结温监测的影响。

本发明授权SiC MOSFET结温监测方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSFET结温监测方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取被测碳化硅金属氧化物场效应管SiCMOSFET的通态电流和通态电压； 根据所述通态电流和所述通态电压计算所述SiCMOSFET的通态电阻； 基于预先建立的通态电阻和结温之间的映射关系，根据所述通态电阻得到所述SiCMOSFET的结温； 还包括： 监测所述SiCMOSFET的壳温； 基于预设建立的壳温-结温热模型，根据所述壳温得到老化参考结温； 若所述结温和所述老化参考结温之间的差值小于或等于预设阈值，则根据所述结温确定所述SiCMOSFET的最优控制策略，并根据所述最优控制策略对所述SiCMOSFET进行控制，否则，返回执行获取所述SiCMOSFET的通态电流和通态电压的步骤； 在基于所述预先建立的通态电阻和结温之间的映射关系，根据所述通态电阻得到所述SiCMOSFET的结温之前，还包括： 根据双脉冲测试得到所述预先建立的通态电阻和结温之间的映射关系； 将所述预先建立的通态电阻和结温之间的映射关系存储至数字信号处理器DSP。

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