复旦大学陈琳获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利基于ZrO2插层的多比特铁电场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115275006B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210918681.4，技术领域涉及：H10D64/68；该发明授权基于ZrO2插层的多比特铁电场效应晶体管及其制备方法是由陈琳;刘雍凯;孟佳琳;王天宇;孙清清;张卫设计研发完成，并于2022-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于ZrO2插层的多比特铁电场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于ZrO2插层的多比特铁电场效应晶体管及其制备方法。该基于ZrO2插层的多比特铁电场效应晶体管，包括：衬底；界面层，形成在所述衬底上；多层HZO铁电层，形成在所述界面层上，且在相邻HZO铁电层间形成有ZrO2插层；栅极，形成在所述HZO铁电层上；源极和漏极形成在所述衬底中所述栅极两侧；通过调整所述各层HZO铁电层的厚度，控制铁电畴尺寸，使之具有不同的矫顽场，当施加不同电压时使特定HZO铁电层完全极化，获得具有稳定的中间极化状态的多比特铁电场效应晶体管。
本发明授权基于ZrO2插层的多比特铁电场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于ZrO2插层的多比特铁电场效应晶体管制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在衬底上沉积SiO2层，并对SiO2层进行光刻、刻蚀露出衬底形成栅极窗口； 对上述结构进行氮化处理，随后在所述衬底上沉积界面层； 形成多层HZO铁电层，且在相邻HZO铁电层间形成ZrO2插层； 在所述HZO铁电层上形成栅极并在氮气氛围中退火； 刻蚀去除所述SiO2层，并在栅极两侧形成侧墙； 在所述衬底中所述栅极两侧形成源极和漏极， 通过调整所述各层HZO铁电层的厚度，控制铁电畴尺寸，使之具有不同的矫顽场，当施加不同电压时使一层或多层HZO铁电层完全极化，获得具有稳定的中间极化状态的多比特铁电场效应晶体管。
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