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龙图腾网获悉华东光电集成器件研究所申请的专利一种MEMS芯片低应力多孔阵列封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115285925B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210992757.8，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权一种MEMS芯片低应力多孔阵列封装结构及封装方法是由商兴莲;凤瑞;宋金龙;解亚飞;周六辉设计研发完成，并于2022-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS芯片低应力多孔阵列封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MEMS芯片低应力多孔阵列封装结构及封装方法，所述方法包括多孔阵列结构的硅基板的加工；所述基于多孔阵列结构的硅基板的加工包括以下步骤：准备单晶硅晶圆，底部刻隔离腔，顶部刻蚀多孔阵列结构，刻蚀划片槽，沿划片槽划片形成单个硅基板，本发明通过在硅基板底部刻蚀隔离腔，使得硅基板下表面与多孔阵列结构底面产生了台阶，通过环形粘胶固定在封装管壳底面上，既实现了机械固定又降低了硅基板的粘接应力。台阶可避免硅基板底面施胶过多溢出导致与多孔阵列结构底面粘连，且通过设置多孔阵列结构，使得产品在给MEMS芯片与硅基板提供足够强度的同时，又能释放封装管壳与硅基板之间的应力。

本发明授权一种MEMS芯片低应力多孔阵列封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS芯片低应力多孔阵列封装结构，其特征在于：包括封装管壳1及硅基板2，所述硅基板2底部外周胶粘于封装管壳1内底部上表面；所述硅基板2顶部胶粘连接有MEMS芯片4，所述MEMS芯片4顶部胶粘连接有ASIC芯片5； 所述硅基板2与封装管壳1之间设置有隔离腔3，所述隔离腔3外围的硅基板2底面与封装管壳1胶粘，所述隔离腔3的高度大于硅基板2与封装管壳1之间胶粘层的高度，使得硅基板2底部与多孔阵列结构6底面之间产生台阶； 所述硅基板2设置有多孔阵列结构6，所述多孔阵列结构6向下贯穿硅基板2，以连通隔离腔3与外部空间； 所述多孔阵列结构6在封装管壳1上的竖直方向投影，位于MEMS芯片4边界投影与所述隔离腔3边缘之间； 所述多孔阵列结构6为蜂窝形多孔阵列结构61，由若干个扁六边形通孔排列组成；MEMS芯片4胶粘区域的四周分别设置所述多孔阵列结构6，各多孔阵列结构6中，扁六边形通孔横截面的长度方向平行于MEMS芯片4的侧边； 通过调整多孔阵列结构6扁六边形通孔的结构参数，以改变结构刚度，使其达到结构刚度要求；多孔阵列结构的结构刚度要求根据以下公式确定： ， 式中，、、和分别为第层扁六边形通孔的质量、阻尼系数、等效刚度和位移；、分别为的二阶微分和一阶微分；为硅基板的MEMS芯片粘片区及粘接于其上的MEMS芯片的质量和，为冲击加速度。

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