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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于CMOS工艺的红外探测芯片及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332386B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210852885.2，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权一种基于CMOS工艺的红外探测芯片及其制备方法和应用是由唐江;贺禹铭;付刘冲;郑佳佳;陈超;李康华设计研发完成，并于2022-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于CMOS工艺的红外探测芯片及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于CMOS工艺的红外探测芯片及其制备方法和应用，所述红外探测芯片包括：硅基底，包括CMOS读出电路，所述CMOS读出电路包括引出电极；电子传输层，所述电子传出层设置在所述引出电极上；SexTe1‑x薄膜层，所述SexTe1‑x薄膜层设置在所述电子传输层上，其中，所述x的范围为0≤x≤1；和第二电极层，所述第二电极层设置在所述SexTe1‑x薄膜层上。与现有技术相比，实现低成本、工艺简单的CMOS一体化红外探测芯片的制备。

本发明授权一种基于CMOS工艺的红外探测芯片及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于CMOS工艺的红外探测芯片的制备方法，其特征在于， 1在硅基底的引出电极上制备电子传输层； 2采用热蒸发法在所述电子传输层上获得SexTe1-x薄膜层； 3采用磁控溅射工艺，在所述SexTe1-x薄膜层上获得第二电极层； 所述热蒸发法选自单源热蒸发法、双源热蒸发法中的至少一种； 步骤2中热蒸发后还包括退火，所述退火的温度为180~300℃；退火的时间为5~30mins； 所述步骤3具体包括以下步骤： 在所述SexTe1-x薄膜层上制备空穴传输层；采用磁控溅射工艺，在所述空穴传输层上获得所述第二电极层； 所述基于CMOS工艺的红外探测芯片包括： 硅基底，包括CMOS读出电路，所述CMOS读出电路包括引出电极； 电子传输层，所述电子传输层设置在所述引出电极上； SexTe1-x薄膜层，所述SexTe1-x薄膜层设置在所述电子传输层上，其中，所述x的范围为0＜x＜1； 和第二电极层，所述第二电极层设置在所述SexTe1-x薄膜层上； 所述基于CMOS工艺的红外探测芯片还包括空穴传输层，所述空穴传输层位于所述SexTe1-x薄膜层与所述第二电极层之间。

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