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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346875B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110533845.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由纪世良;柯星;张海洋设计研发完成，并于2021-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括第一区和第二区；在所述待刻蚀层上形成第一掩膜材料层；在第一区上的第一掩膜材料层内形成若干开口；在每个开口内形成第一掩膜结构，并且，在第二区上的第一掩膜材料层上形成若干相互分立的第二掩膜结构；根据第一掩膜结构和第二掩膜结构图形化第一掩膜材料层和待刻蚀层。通过所述形成方法能够对现有的半导体结构进行改善。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括第一区和第二区； 在所述待刻蚀层上形成第一掩膜材料层； 在第一区上的第一掩膜材料层内形成若干开口； 在每个开口内形成第一掩膜结构，并且，在第二区上的第一掩膜材料层上形成若干相互分立的第二掩膜结构； 根据第一掩膜结构和第二掩膜结构图形化第一掩膜材料层和待刻蚀层； 所述在每个开口内形成第一掩膜结构，并且，在第二区上的第一掩膜材料层上形成若干相互分立的第二掩膜结构的方法包括：在形成所述开口之前，在第二区上的第一掩膜材料层上形成若干相互分立的第一牺牲结构；在所述第一牺牲结构和第一掩膜材料层表面形成第二掩膜材料膜；在形成所述开口之后，在开口内和第二掩膜材料膜表面形成第三掩膜材料层，所述第三掩膜材料层高于或齐平于所述第一牺牲结构顶面，所述第三掩膜材料层填充满所述开口；刻蚀所述第一牺牲结构和所述第三掩膜材料层，直至暴露出所述第一掩膜材料层表面，所述开口内剩余的第三掩膜材料层形成所述第一掩膜结构；在形成所述第一掩膜结构之后，采用各向异性的刻蚀工艺，去除所述第一掩膜材料层表面的第二掩膜材料膜，形成所述第二掩膜结构；所述第一掩膜材料层覆盖所述第一掩膜结构的侧壁。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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