美光科技公司D·维梅尔卡蒂获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利低电压铁电存储器单元感测获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115398539B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180012500.5，技术领域涉及：G11C11/22；该发明授权低电压铁电存储器单元感测是由D·维梅尔卡蒂设计研发完成，并于2021-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本低电压铁电存储器单元感测在说明书摘要公布了：本申请案针对于低电压铁电存储器单元感测。作为用于存储器单元的存取操作的部分，可对两个共源共栅结构的栅极加偏压以补偿相关联的阈值电压。对应于存储于所述存储器单元中的电荷的所提取信号可传送通过第一共源共栅结构以将第一电容器充电。类似地，在虚设数字线处形成的参考信号可传送通过第二共源共栅结构以将第二电容器充电。通过将在所述虚设数字线处形成的所述参考信号与从存储器单元提取的所述信号进行比较，可减小存储器单元性能的变化对所述感测窗口的效应。另外，基于对所述共源共栅结构的所述栅极加偏压，在所述感测组件处进行比较的所述信号之间的差与其它感测方案相比可为低。
本发明授权低电压铁电存储器单元感测在权利要求书中公布了：1.一种方法，其包括： 作为铁电存储器单元的存取操作的部分，将第一共源共栅结构的第一栅极加偏压到第一电压以补偿所述第一共源共栅结构的第一阈值电压，所述第一共源共栅结构与关联于所述铁电存储器单元的数字线耦合； 将第二共源共栅结构的第二栅极加偏压到第二电压以补偿所述第二共源共栅结构的第二阈值电压，所述第二共源共栅结构与用于在所述存取操作期间提供参考信号的电压源耦合； 至少部分地基于将所述第一共源共栅结构的所述第一栅极加偏压到所述第一电压，将与所述铁电存储器单元相关联的第三电压通过所述第一共源共栅结构传送到第一电容器； 至少部分地基于将所述第二共源共栅结构的所述第二栅极加偏压到所述第二电压，将与所述参考信号相关联的第四电压通过所述第二共源共栅结构传送到第二电容器；和 至少部分地基于传送到所述第一电容器的所述第三电压和传送到所述第二电容器的所述第四电压来确定所述铁电存储器单元所存储的逻辑状态，其中传送到所述第二电容器的所述第四电压不同于与所述电压源相关联的电压。
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