无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司李雪获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司申请的专利铟镓砷线列探测器及基于其的检测方法、铟镓砷光敏芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440748B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110608346.X，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权铟镓砷线列探测器及基于其的检测方法、铟镓砷光敏芯片是由李雪;刘大福;顾溢;孙夺设计研发完成，并于2021-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本铟镓砷线列探测器及基于其的检测方法、铟镓砷光敏芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种铟镓砷线列探测器及基于其的检测方法、铟镓砷光敏芯片，所述铟镓砷线列探测器包括铟镓砷光敏芯片，所述铟镓砷光敏芯片包括至少两行数量相等的像元；各行像元中相同序位的所述像元在列轴方向对齐；沿所述列轴方向的相邻两个像元之间的中心距不小于沿行轴方向上相邻两个像元之间的中心距。本发明通过合理地设置多行线列像元以及其间的距离，可以实现快速精确地扫描，以及对检测对象进行快速复验，从而显著地提高了短波红外检测的效率及准确性。
本发明授权铟镓砷线列探测器及基于其的检测方法、铟镓砷光敏芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于铟镓砷线列探测器的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括步骤： 采用铟镓砷线列探测器对检测对象进行扫描以得到成像数据，所述成像数据由所述铟镓砷线列探测器的像元分别获取的像元读数转化得到；所述铟镓砷线列探测器包括铟镓砷光敏芯片，所述铟镓砷光敏芯片包括至少两行数量相等的像元；各行像元中相同序位的所述像元在列轴方向对齐；沿所述列轴方向的相邻两个像元之间的中心距不小于沿行轴方向上相邻两个像元之间的中心距； 根据阈值范围，确定所述像元读数中的异常值； 若位于同一列的所有像元获取的所述像元读数均为异常值，则判定所述检测对象与所述像元对应的位置为异常位置。
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