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龙图腾网获悉北京晨晶电子有限公司申请的专利三维电极的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497820B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211073949.5，技术领域涉及：H01L21/283；该发明授权三维电极的制备方法是由郄立伟;尚帅;裴志强;张琳琳;赵黎明;王天宇;史玮婷设计研发完成，并于2022-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维电极的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及微机电系统技术领域，提供一种三维电极的制备方法，包括：根据三维电极的正投影的形状在光刻板上制备第一三维电极图形，第一三维电极图形为镂空图形；在三维结构件的表面喷涂光刻胶，形成光刻胶层；将三维结构件与光刻板对准，将光刻板作为曝光掩膜，对光刻胶层与第一三维电极图形相对的第一部位进行曝光；对第一部位进行显影，以在光刻胶层上制备出第二三维电极图形；基于第二三维电极图形在三维结构件上制备三维电极。本发明提供的三维电极的制备方法，通过平面光刻的方法在三维结构件上制备三维电极，在制备过程中，利用光刻机较高的对准精度将三维结构件与光刻板对准，从而提高了三维电极制备的精度。

本发明授权三维电极的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维电极的制备方法，其特征在于，包括： 根据三维电极的正投影的形状在光刻板上制备第一三维电极图形，其中，所述第一三维电极图形为镂空图形，所述三维电极指位于不同平面的电极； 在三维结构件的表面喷涂光刻胶，形成光刻胶层； 将三维结构件与光刻板对准，将所述光刻板作为曝光掩膜，对所述光刻胶层与所述第一三维电极图形相对的第一部位进行曝光； 对所述第一部位进行显影，以在所述光刻胶层上制备出第二三维电极图形； 基于所述第二三维电极图形在所述三维结构件上制备三维电极； 所述根据三维电极的正投影的形状在光刻板上制备第一三维电极图形的步骤包括： 在所述三维结构件具有斜面结构的情况下，在多块所述光刻板上分别制备多个第三三维电极图形，每个所述第三三维电极图形的位置均不相同，多个所述第三三维电极图形拼接后形成的图形与所述三维电极的正投影图形相同，多个所述第三三维电极图形拼接后形成所述第一三维电极图形；依次将多个所述第三三维电极图形与所述第一部位的多个位置对齐，对多个所述位置分别进行曝光，其中，所述第一部位的多个位置拼接后形成所述第一部位； 在所述三维结构件具有侧棱的情况下，在两块所述光刻板上分别制备所述第一三维电极图形，每个所述第一三维电极图形与所述三维电极的正投影图形相同。

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