中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张田田获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513126B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110699494.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由张田田设计研发完成，并于2021-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底上具有若干第一器件结构和位于第一器件结构两侧衬底上的第二器件结构；在衬底上形成第一介质层，所述第一介质层内具有第一开口，所述第一开口暴露出部分第一器件结构顶部表面；在第一开口内形成第一连接层；在第一连接层顶部表面形成钝化层；形成钝化层之后，在第一介质层内形成第二开口，所述第二开口暴露出部分第二器件结构表面；采用选择性沉积工艺在第二开口内形成第二连接层，所述第二连接层在第二器件结构上的生长速率大于在钝化层上的生长速率。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上具有若干第一器件结构和位于第一器件结构两侧衬底上的第二器件结构； 在衬底上形成第一介质层，所述第一介质层内具有第一开口，所述第一开口暴露出部分第一器件结构顶部表面； 在第一开口内形成第一连接层； 在第一连接层顶部表面形成钝化层； 在第一介质层顶部表面形成阻挡层，所述阻挡层与所述钝化层同步形成，且所述阻挡层与所述钝化层的材料不同； 形成钝化层之后，在第一介质层内形成第二开口，所述第二开口暴露出部分第二器件结构表面； 采用选择性沉积工艺在第二开口内形成第二连接层，所述第二连接层在第二器件结构上的生长速率大于在钝化层上的生长速率。
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