中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张田田获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513175B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110699503.2，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由张田田设计研发完成，并于2021-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，衬底包括第一区和第二区，衬底上具有第一介质层和位于第一区上第一介质层内的第一导电结构；在第一介质层上形成第一阻挡层；在第二区的第一阻挡层上形成电阻层；在电阻层上和第一阻挡层上形成第二阻挡层和第二介质层；刻蚀第二介质层形成初始第一开口和第二开口，初始第一开口暴露出第一导电结构上的第一阻挡层表面，第二开口暴露出电阻层表面；对暴露出的电阻层进行增强处理形成增强层；去除第一阻挡层，形成暴露出第一导电结构顶部表面的第一开口，去除工艺对第一阻挡层的去除速率大于对增强层的去除速率；在第一开口内和第二开口内形成电连接层。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述衬底上具有第一介质层和第一导电结构，所述第一导电结构位于第一区上的第一介质层内； 位于第一介质层上的第一阻挡层； 位于第二区的第一阻挡层上的电阻层； 位于电阻层上和第一区的第一阻挡层上的第二阻挡层； 位于第二阻挡层上的第二介质层，所述第二介质层内具有第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出部分第一导电结构顶部表面，所述第二开口暴露出电阻层部分顶部表面； 位于电阻层内的增强层，所述电阻层暴露出所述增强层表面，且所述增强层厚度小于所述电阻层厚度，所述增强层的材料为含金属材料的电阻层材料，去除第一阻挡层的工艺对第一阻挡层的去除速率大于对增强层的去除速率； 位于第一开口内和第二开口内的电连接层。
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