苏州紫灿科技有限公司张骏获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州紫灿科技有限公司申请的专利一种深紫外发光二极管及其外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115548188B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211266711.4，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种深紫外发光二极管及其外延生长方法是由张骏;张毅;岳金顺;陈景文设计研发完成，并于2022-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种深紫外发光二极管及其外延生长方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种深紫外发光二极管及其外延生长方法，包括由下至上设置的衬底、本征层、电子注入层、量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层以及P型接触层，其中，深紫外发光二极管还包括漏电改善层，漏电改善层设置于电子注入层与电流扩展层之间，和或者设置于所述量子阱有源层与所述电子阻挡层之间，所述漏电改善层为非故意掺杂层；上述漏电改善层不仅可以减少电子注入层向量子阱有源层穿透的位错密度，且能够阻挡电子注入层中的硅元素向量子阱有源层的内部扩散，或者能够阻挡空穴注入层中的镁元素向量子阱有源层的内部扩散，最终减小了深紫外发光二极管的反向漏电流。
本发明授权一种深紫外发光二极管及其外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种深紫外发光二极管，其特征在于，包括由下至上层叠设置的衬底、 本征层、电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层以及P型接触层； 其中，所述深紫外发光二极管还包括漏电改善层，所述漏电改善层为非故意掺杂层； 其中，所述漏电改善层包括第一改善层，所述第一改善层设置于所述电子注入层与所述电流扩展层之间，所述第一改善层是由多个第一子层和多个第二子层交替形成的第一超晶格结构，所述第一子层采用氮化铝作为生长材料，所述第二子层采用氮化镓作为生长材料；其中，所述深紫外发光二极管还包括N型电极和P型电极；所述第一改善层与所述电流扩展层之间形成台阶状结构，且所述第一改善层的面积大于所述电流扩展层的面积，所述P型电极设置于所述P型接触层上，所述N型电极设置于所述第一改善层的台阶结构处。
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