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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565951B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211262061.6，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种半导体器件的形成方法是由苏鸿斌设计研发完成，并于2022-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体器件的形成方法，该形成方法包括：提供衬底，衬底上包括第一器件区域和第二器件区域；第一器件区域与第二器件区域的掺杂类型不同；形成覆盖第一器件区域和第二器件区域的第一栅极堆叠层；第一栅极堆叠层包括沿背离衬底方向依次层叠的第一功函数金属层和第一阻挡层；在第一栅极堆叠层上形成第一掩膜图形，第一掩膜图形至少覆盖第一器件区域并且至少暴露第二器件区域，第一掩膜图形沿垂直于衬底方向具有第一尺寸，第一掩膜图形暴露出的区域在平行于衬底的方向上具有第二尺寸，第二尺寸的最小值与第一尺寸的比值大于10；基于第一掩膜图形，采用刻蚀‑清洗的循环工艺去除第一掩膜图形暴露出的区域上的第一栅极堆叠层。

本发明授权一种半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括： 提供衬底，所述衬底上包括第一器件区域和第二器件区域；其中，所述第一器件区域与所述第二器件区域的掺杂类型不同； 依次形成覆盖所述第一器件区域和所述第二器件区域的栅极氧化层和高介电材料层； 形成覆盖所述第一器件区域和所述第二器件区域的第一栅极堆叠层；所述第一栅极堆叠层包括沿背离所述衬底方向依次层叠的第一功函数金属层和第一阻挡层； 在所述第一栅极堆叠层上形成第一掩膜图形，所述第一掩膜图形至少覆盖所述第一器件区域并且至少暴露所述第二器件区域，其中，所述第一掩膜图形沿垂直于所述衬底方向具有第一尺寸，所述第一掩膜图形暴露出的区域在平行于所述衬底的方向上具有第二尺寸，所述第二尺寸的最小值与所述第一尺寸的比值大于10； 基于所述第一掩膜图形，采用刻蚀-清洗的循环工艺去除所述第一掩膜图形暴露出的区域上的所述第一栅极堆叠层； 在去除了所述第一栅极堆叠层的区域上形成第二栅极堆叠层；所述第二栅极堆叠层包括背离所述衬底方向依次层叠的第二功函数金属层和第二阻挡层，所述第一功函数金属层与所述第二功函数金属层不同。

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