联华电子股份有限公司林静龄获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621319B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211053337.X，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体元件及其制作方法是由林静龄;梁文安;黄振铭设计研发完成，并于2017-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法为，首先形成一鳍状结构于一基底上，然后形成一第一栅极结构以及一第二栅极结构于鳍状结构上以及一层间介电层环绕第一栅极结构以及第二栅极结构，将第一栅极结构以及第二栅极结构转换为第一金属栅极以及第二金属栅极，形成一硬掩模于第一金属栅极以及第二金属栅极上，去除部分硬掩模、第二金属栅极以及部分鳍状结构以形成一开口，再形成一介电层于凹槽内以形成一单扩散隔离结构。
本发明授权半导体元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，包含： 鳍状结构，设于一基底上； 金属栅极和层间介电层，该金属栅极设于该鳍状结构上，该层间介电层环绕该金属栅极； 单扩散隔离结构，设于该层间介电层以及该鳍状结构内并直接接触该层间介电层，其中该单扩散隔离结构包含： 下半部，其中该下半部上表面切齐该金属栅极上表面；以及 上半部，设于该下半部上，其中该上半部以及该下半部包含不同宽度且该下半部的上表面高于该鳍状结构的上表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人联华电子股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励