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龙图腾网获悉中央硝子株式会社申请的专利半导体基板的表面处理方法及表面处理剂组合物获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115699259B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180036555.X，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权半导体基板的表面处理方法及表面处理剂组合物是由奥村雄三;福井由季;盐田彩织;照井贵阳;公文创一设计研发完成，并于2021-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体基板的表面处理方法及表面处理剂组合物在说明书摘要公布了：本发明的半导体基板的表面处理方法是对于基板的主表面上具有形成有图案的图案形成区域与形成于图案形成区域的周缘的斜面区域的半导体基板的主表面进行处理的处理方法，前述图案具有图案尺寸为30nm以下的凹凸结构，前述方法包括表面处理工序，其使包含甲硅烷基化剂的表面处理剂组合物接触半导体基板的主表面的图案形成区域及斜面区域上，对使表面处理剂组合物接触而经表面处理的二氧化硅基板的表面，IPA后退角在室温25度下为3°以上、和或水后退角在室温25度下为40°以上。

本发明授权半导体基板的表面处理方法及表面处理剂组合物在权利要求书中公布了：1.一种处理方法，其为对于基板的主表面上具有形成有图案的图案形成区域与形成于所述图案形成区域的周缘的具有倾斜面的斜面区域的半导体基板的主表面进行处理的处理方法，所述图案具有图案尺寸为30nm以下的凹凸结构，所述方法包括如下工序： 表面处理工序，使表面处理剂组合物使用旋转方式接触所述半导体基板的主表面的所述图案形成区域及所述斜面区域上，所述表面处理剂组合物是包含甲硅烷基化剂和溶剂的液体；以及 在所述表面处理工序之后，使所述半导体基板的主表面与冲洗溶液接触，使用旋转方式甩掉所述冲洗溶液的工序， 所述表面处理剂组合物， 以下述步骤求出的IPA后退角在室温25度下为3°以上、和或 以下述步骤求出的水后退角在室温25度下为40°以上， 步骤 对表面平滑且由二氧化硅构成的二氧化硅基板的表面，使所述表面处理剂组合物接触来进行表面处理， 在静置于水平台的状态下，对于经表面处理的所述二氧化硅基板的表面： 在室温25度下滴加3μL的2-丙醇，之后测定在60秒后的接触角的值，将该值作为所述IPA后退角， 在室温25度下滴加30μL的纯水，之后以6μL秒的速度吸引纯水，测定液滴尺寸正减少过程中的接触角的值，将该值作为所述水后退角。

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