TDK株式会社滨中幸祐获国家专利权
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龙图腾网获悉TDK株式会社申请的专利磁化旋转元件、磁阻效应元件和磁存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115700065B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180038493.6，技术领域涉及：H10N50/85；该发明授权磁化旋转元件、磁阻效应元件和磁存储器是由滨中幸祐;盐川阳平;佐贯稔设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁化旋转元件、磁阻效应元件和磁存储器在说明书摘要公布了：该磁化旋转元件具备自旋轨道转矩配线和与所述自旋轨道转矩配线相接的第1铁磁性层，所述配线从接近所述第1铁磁性层的一侧起依次具有第1层、第2层和第3层，构成所述第2层的材料的线膨胀系数在构成所述第1层的材料的线膨胀系数与构成所述第3层的材料的线膨胀系数之间。
本发明授权磁化旋转元件、磁阻效应元件和磁存储器在权利要求书中公布了：1.一种磁化旋转元件，其中， 具备： 自旋轨道转矩配线；和 第1铁磁性层，其与所述自旋轨道转矩配线上相接， 所述自旋轨道转矩配线从接近所述第1铁磁性层的一侧起依次具有第1层、第2层和第3层， 所述第1层包含第1元素作为主元素， 所述第2层包含与所述第1元素不同的第2元素作为主元素， 所述第3层包含与所述第1元素和所述第2元素不同的第3元素作为主元素， 所述第1元素为W，所述第2元素为Ir、Pt、Ta、Hf中的任一种，所述第3元素为Cu， 构成所述第2层的材料的线膨胀系数在构成所述第1层的材料的线膨胀系数与构成所述第3层的材料的线膨胀系数之间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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