中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司程东向获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构和半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115701220B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110875814.X，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体结构和半导体结构的形成方法是由程东向;刘俊;徐进;高飞;谈晋椹设计研发完成，并于2021-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构和半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成若干核心结构，若干所述核心结构等间距排列，所述核心结构包括相互连接的第一核心层和第二核心层，所述第一核心层平行于第一方向，所述第一方向平行于衬底表面，所述第一核心层和第二核心层之间的夹角为钝角，若干所述第一核心层相互平行，若干所述第二核心层相互平行；在衬底上形成第一字线层，所述第一字线层的图形为所述第一核心层经过自对准双重图形技术形成的图形；在衬底上形成第二字线层，所述第一字线层与第二字线层一一对应且相互连接，所述第二字线层的图形为所述第二核心层经过自对准双重图形技术形成的图形。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
本发明授权半导体结构和半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于衬底上的若干第一字线层，若干所述第一字线层相互平行排列，所述第一字线层平行于第一方向，所述第一方向平行于衬底表面； 位于衬底上的第二字线层，所述第二字线层与第一字线层一一对应且相互连接，所述第二字线层和第一字线层之间的夹角为钝角，若干所述第二字线层相互平行； 位于相邻第一字线层之间的第一隔离层，相邻所述第一隔离层之间间隔有两条所述第一字线层，与所述第一隔离层相邻的两条所述第一字线层之间的间距相同，位于相邻两条所述第一隔离层之间的两条所述第一字线层之间的间距相同。
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