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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利单片3D异质集成的多级缓存电路单元结构与制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763428B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211277435.1，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权单片3D异质集成的多级缓存电路单元结构与制造方法是由殷华湘;田国良;许高博;吴振华设计研发完成，并于2022-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本单片3D异质集成的多级缓存电路单元结构与制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种单片3D异质集成的多级缓存电路单元结构与制造方法。其包括由下至上堆叠的四个功能层：SRAM缓存层、无电容DRAM层、铁电场效应晶体管存储层和铁电二极管层，以及穿过各层的垂直接触孔；SRAM缓存层以硅为衬底；且无电容DRAM层、铁电场效应晶体管存储层均没有衬底，直接设置于其下方的功能层表面；且铁电二极管层与铁电场效应晶体管存储层之间设有金属互连层；垂直接触孔内填充导电插塞，导电插塞与金属互联层以及SRAM缓存层中的漏极、无电容DRAM层中的漏极、铁电场效应晶体管存储层中的漏极均互连。本发明解决了现有缓存架构中各级缓存间的互联通道较长导致延迟较高的问题。

本发明授权单片3D异质集成的多级缓存电路单元结构与制造方法在权利要求书中公布了：1.一种单片3D异质集成的多级缓存电路单元结构，其特征在于，包括由下至上堆叠的四个功能层：SRAM缓存层、无电容DRAM层、铁电场效应晶体管存储层和铁电二极管层，以及穿过所述SRAM缓存层、无电容DRAM层、铁电场效应晶体管存储层的垂直接触孔；所述垂直接触孔的孔径为1~100nm； 其中，所述SRAM缓存层以硅为衬底，所述无电容DRAM层和所述铁电场效应晶体管存储层中的沟道采用低温半导体材料；且所述无电容DRAM层、铁电场效应晶体管存储层均没有衬底，直接设置于其下方的功能层表面；且所述铁电二极管层与所述铁电场效应晶体管存储层之间设有金属互连层； 穿过所述SRAM缓存层、无电容DRAM层、铁电场效应晶体管存储层的垂直接触孔与所述SRAM缓存层中的漏极和所述无电容DRAM层中的漏极和所述铁电场效应晶体管存储层中的漏极均连通；所述垂直接触孔内填充导电插塞，所述导电插塞与所述金属互连层以及SRAM缓存层中的漏极、无电容DRAM层中的漏极、铁电场效应晶体管存储层中的漏极均互连。

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