武汉新芯集成电路制造有限公司孙鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路制造有限公司申请的专利键合装置及键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115775722B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211097412.2，技术领域涉及：H01L21/18；该发明授权键合装置及键合方法是由孙鹏;刘爽;叶国梁;胡胜;宋胜金;占琼;周俊设计研发完成，并于2022-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本键合装置及键合方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种键合装置及键合方法，所述键合方法包括：提供第一承载膜和第二承载膜，所述第一承载膜上承载有多个芯片，所述第二承载膜上承载有晶圆；采用第一遮蔽罩和第二遮蔽罩分别遮盖所述第一承载膜和所述第二承载膜，且所述第一遮蔽罩暴露出部分个所述芯片，所述第二遮蔽罩暴露出所述晶圆的部分表面；执行等离子体清洗工艺，以对所述第一遮蔽罩暴露出的部分个所述芯片以及所述第二遮蔽罩暴露出的所述晶圆的部分表面进行激活；将激活的部分个所述芯片键合于所述晶圆的激活的部分表面上。本发明的技术方案能够降低键合失败的概率。
本发明授权键合装置及键合方法在权利要求书中公布了：1.一种键合方法，其特征在于，包括： 提供第一承载膜和第二承载膜，所述第一承载膜上承载有多个芯片，所述第二承载膜上承载有晶圆； 采用第一遮蔽罩和第二遮蔽罩分别遮盖所述第一承载膜和所述第二承载膜，且所述第一遮蔽罩暴露出部分个所述芯片，所述第二遮蔽罩暴露出所述晶圆的部分表面； 执行等离子体清洗工艺，以对所述第一遮蔽罩暴露出的部分个所述芯片以及所述第二遮蔽罩暴露出的所述晶圆的部分表面进行激活； 将激活的部分个所述芯片键合于所述晶圆的激活的部分表面上； 其中，能够将所述第一承载膜上的所有所述芯片以及所述第二承载膜上的所述晶圆的整个表面分多次进行激活，且在每次激活之后能够立即将激活的部分个所述芯片键合于所述晶圆的激活的部分表面上。
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