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龙图腾网获悉上海富乐华半导体科技有限公司申请的专利一种多层铜片键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863289B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211488347.6，技术领域涉及：H01L23/485；该发明授权一种多层铜片键合方法是由周轶靓;贺贤汉;季成龙;王斌;朱凯;陈慧龙设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多层铜片键合方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多层铜片键合方法，包括表面处理除杂、铜片氧化以及铜片烧结三道工序。铜片进行氧化时，采用梯度加热干法氧化或KOH和K2S2O8的混合水溶液湿法氧化进行铜片表面氧化；烧结时，将氧化完成的铜片平放在两块多孔承烧板之间，进行卡位限定后，在氩气保护条件下，采用烧结条件进行升温和降温，完成键合。

本发明授权一种多层铜片键合方法在权利要求书中公布了：1.一种多层铜片键合方法，其特征在于，包括如下步骤： A、表面处理 选取表面粗糙度小于0.5μm，表面平整度小于5％的铜片，依次经盐酸浸泡、无水乙醇超声清洗、纯水冲洗及烘干后，去除铜片表面杂质； B、铜片氧化 采用干法氧化或湿法氧化任一种氧化方式， 其中，所述干法氧化步骤如下：表面处理后的铜片在混入一定体积氧气的氩气保护条件下，以梯度加热方式完成氧化：10℃min速率加热至500-510℃，保温4min；5℃min速率加热至690-700℃，保温4min；5℃min速率加热至790-800℃，保温4min；5℃min速率加热至800-900℃，保温20min；10℃min速率降温至室温， 所述湿法氧化的步骤如下：将表面处理后的铜片放入KOH和K2S2O8的混合水溶液中，溶液温度保持在40-50℃，氧化时间为10-15min；完成氧化后纯水清洗，置于180℃烘箱完成干燥； C、铜片烧结 氧化完成的铜片平放在两块多孔承烧板之间，利用承烧板自身重量提供向下的压力，并利用承烧板多孔结构使用圆柱销对待烧结氧化铜片进行卡位；在氩气保护条件下，烧结条件如下：20℃min速率加热至980-1000℃，保温15min；5℃min速率加热至1065-1083℃，保温40min；20℃min速率降温至室温，完成键合。

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