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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利基于等离子体处理的低维半导体材料晶体管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881537B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211575582.7，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权基于等离子体处理的低维半导体材料晶体管的制备方法是由包文中;盛楚明;胡焱;孙正宗;童领设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于等离子体处理的低维半导体材料晶体管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于等离子体处理的低维半导体材料晶体管制备方法。本发明方法包括：提供低维半导体材料结构的工件并制备成样品；在真空腔室中通入气体电离形成等离子体，与源极漏极接触区域的低维半导体材料发生反应；原位真空沉积电极，形成低维半导体材料与电极的源极漏极接触区域；最后进行剥离工艺，完成晶体管的制备。本发明可降低低维半导体材料与电极的源极漏极接触区域的界面态缺陷密度、费米钉扎效应，提高晶体管的开态电流密度，并增加半导体材料晶圆上芯片元器件的可靠性和器件良率。

本发明授权基于等离子体处理的低维半导体材料晶体管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于等离子体处理的低维半导体材料晶体管的制备方法，其特征在于，具体步骤为： 1提供具有低维半导体材料结构的工件，并制备成样品；具体包括： 用光刻工艺或掩膜版工艺图形化所述低维半导体材料与电极的源极漏极接触区域，以在源极漏极接触区域形成窗口，并将样品固定于真空工艺腔室内可移动载物台上； 2对真空工艺腔室进行抽真空处理，本底真空度小于5.0E-2Pa，以清理所述真空工艺腔室内的残余气体； 3在真空工艺腔室中对低维半导体材料进行等离子体处理，并原位真空沉积电极，形成低维半导体材料与电极的源极漏极接触区域；具体流程包括： 3.1向所述真空工艺腔室中通入气体，使所述气体电离形成等离子体，并与所述源极漏极接触区域的低维半导体材料发生反应； 3.2然后，在所述原位真空下沉积电极，以在所述工艺腔室内形成所述低维半导体材料与电极的源极漏极接触区域； 3.3最后，进行剥离工艺，定义晶体管的沟道，完成晶体管的制备； 所述原位真空沉积电极，为等离子体与低维半导体材料发生反应后，关闭气路后的同一真空工艺腔室环境或同为真空的两个及两个以上相连的工艺腔室环境，以在所述低维半导体材料与所述电极的源极漏极接触区域进行等离子体处理后原位真空沉积所述电极； 所述沉积电极采用真空热蒸镀、电子束蒸镀或溅射镀膜的方法实现，所述沉积电极厚度范围为1nm至1000nm，以形成所述低维半导体材料与电极的源极漏极接触区域； 所述气体电离形成等离子体与所述低维半导体材料发生反应后在所述原位真空沉积所述电极，其工艺条件为： 等离子体处理过程中，工艺腔室真空度范围为0.05Pa至20Pa，气体流量范围为5sccm至500sccm，使气体等离子体化的射频电源功率为1W至3500W，与载物台连接的提供偏压的电源装置功率为1W至4500W，等离子体处理工艺时间为5s至7200s，待沉积电极的靶材及放置靶材的装置与样品距离为5cm-250cm，所述电极沉积速率为0.1Ås至100Ås。

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