旺宏电子股份有限公司林榆瑄获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利存储器单元，存储器装置的制造方法及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115938431B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111010088.1，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权存储器单元，存储器装置的制造方法及其操作方法是由林榆瑄;李峯旻;曾柏皓设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器单元，存储器装置的制造方法及其操作方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种整合式存储器单元，存储器装置的制造方法及其操作方法。整合式存储器单元包括：一第一存储器单元；以及一嵌入式第二存储器单元，串联至该第一存储器单元，其中，该嵌入式第二存储器单元形成于该第一存储器单元的一第一侧与一第二侧的任一侧。
本发明授权存储器单元，存储器装置的制造方法及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种整合式存储器单元，其特征在于，包括： 一第一存储器单元；以及 一嵌入式第二存储器单元，串联至该第一存储器单元， 其中，该嵌入式第二存储器单元形成于该第一存储器单元的一第一侧与一第二侧的任一侧； 该嵌入式第二存储器单元形成于一接触的一底部或一顶端，或者形成于一穿孔的一底部或一顶端；以及 该嵌入式第二存储器单元嵌入在该第一存储器单元的源极漏极区域中，该嵌入式第二存储器单元的顶表面在源极漏极区域的顶表面上方，并且该嵌入式第二存储器单元的底表面在源极漏极区域的顶表面下方。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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