长鑫存储技术有限公司李晓杰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939046B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110963282.5，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构及其制作方法是由李晓杰;杨蒙蒙设计研发完成，并于2021-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构的电学性能的可靠性差的技术问题，该半导体结构的制作方法包括：提供基底；基底包括依次相邻设置的第一N区、第一P区、第二N区和第二P区；在基底上依次层叠设置的栅介质层、第一阻挡层、第一功函数层和第二阻挡层；在第一P区和第二P区的第二阻挡层上形成掩膜层；以掩膜层为掩膜，采用第一刻蚀工艺去除第一N区和第二N区的第二阻挡层，以暴露第一N区和第二N区的第一功函数层；采用第二刻蚀工艺，去除第一N区和第二N区的第一功函数层和第一阻挡层，以暴露第一N区和第二N区的栅介质层，用于提高半导体结构的电学性能的可靠性。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底；所述基底包括第一N型器件的第一N区、第一P型器件的第一P区、第二N型器件的第二N区以及第二P型器件的第二P区，其中，所述第一P区和所述第一N区及所述第二N区相邻，所述第二N区和所述第一P区及所述第二P区相邻； 在所述基底上依次形成栅介质层、位于所述栅介质层上的第一阻挡层、位于所述第一阻挡层上的第一功函数层和位于所述第一功函数层上的第二阻挡层； 在所述第一P区和所述第二P区的所述第二阻挡层上形成掩膜层； 以所述掩膜层为掩膜，采用第一刻蚀工艺去除所述第一N区和所述第二N区的所述第二阻挡层，以暴露所述第一N区和所述第二N区的第一功函数层； 采用第二刻蚀工艺，去除所述第一N区和所述第二N区的所述第一功函数层和所述第一阻挡层，以暴露所述第一N区和所述第二N区的所述栅介质层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230011 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励