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龙图腾网获悉深圳市创芯微微电子有限公司申请的专利一种超结型半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053138B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211590538.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种超结型半导体器件及其制作方法是由夏亮;朱治鼎;王蒙设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超结型半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超结型半导体器件及其制作方法，该方法包括提供第一半导体类型的衬底；在衬底表面依次形成至少两层外延层，在各个外延层依次生长过程中，向各个外延层的上部区域中注入深能级杂质离子以形成深能级复合中心；使各个深能级复合中心和下部区域的外延层呈间歇性梯度分布；向各个外延层的上部区域中注入第二导体类型的离子得到柱形结构，用以纵向连通形成柱区；在最顶层的外延层上形成栅极结构；向外延层表面内注入第二导体类型的离子形成体区；向外延层表面内注入第一半导体类型的离子形成源区，在栅极结构上制作正面金属层；以及制作背面金属层。本发明不需要额外增加制造工序和时间，就能改善半导体器件中体二极管反向恢复能力。

本发明授权一种超结型半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种超结型半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供第一半导体类型的衬底； 在所述衬底表面依次形成至少两层外延层，各个外延层的导体类型为第一半导体类型；在各个外延层依次生长过程中，向各个所述外延层的上部区域中注入深能级杂质离子，用以形成深能级复合中心；使各个所述深能级复合中心和各个下部区域的外延层呈间歇性梯度分布； 向各个所述外延层的上部区域中注入第二导体类型的离子，得到柱形结构，各个柱形结构用以纵向连通形成柱区； 在最顶层的外延层上形成栅极结构；向所述最顶层的外延层表面内注入第二导体类型的离子，形成体区；向所述最顶层的外延层表面内注入第一半导体类型的离子，形成位于所述体区内的源区； 在所述栅极结构上制作正面金属层；以及制作背面金属层； 所述各个柱形结构用以纵向连通形成柱区包括： 通过高温退火工艺，将所述各个柱形结构纵向连通形成所述柱区，以对分布所述柱区内的部分深能级复合中心进行缺陷修复。

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