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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116097438B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180003343.1，技术领域涉及：H01L25/18；该发明授权具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法是由刘威;朱宏斌;华子群;江宁;华文宇设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法在说明书摘要公布了：在某些方面中，一种三维3D存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括外围电路。第二半导体结构包括存储器单元阵列和耦合到存储器单元并且各自在垂直于第一方向的第二方向上延伸的多条位线。存储器单元中的每一个存储器单元包括在第一方向上延伸的垂直晶体管和耦合到垂直晶体管的存储单元。位线中的相应一条位线和相应存储单元在第一方向上耦合到存储器单元中的每一个存储器单元的相对端部。垂直晶体管中的在第二方向上的两个相邻垂直晶体管彼此镜像对称。存储器单元阵列经过键合界面耦合到外围电路。

本发明授权具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种三维3D存储器器件，包括： 第一半导体结构，所述第一半导体结构包括外围电路； 第二半导体结构，所述第二半导体结构包括： 存储器单元阵列，所述存储器单元中的每一个存储器单元包括在第一方向上延伸的垂直晶体管和耦合到所述垂直晶体管的存储单元；以及 多条位线，所述多条位线耦合到所述存储器单元并且各自在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸， 其中，所述位线中的相应一条位线和相应存储单元在所述第一方向上耦合到所述存储器单元中的每一个存储器单元的相对端部；并且 所述垂直晶体管中的在所述第二方向上的两个相邻垂直晶体管彼此镜像对称；以及 键合界面，所述键合界面在所述第一方向上在所述第一半导体结构与所述第二半导体结构之间，其中，所述存储器单元阵列经过所述键合界面耦合到所述外围电路， 其中，所述垂直晶体管包括在所述第一方向上延伸的半导体主体，并且 其中，在所述第二方向上，所述半导体主体的一侧接触所述垂直晶体管的栅极结构，并且所述半导体主体的另一侧接触所述第二半导体结构的沟槽隔离，其中，所述半导体主体的所述另一侧与所述半导体主体的所述一侧相对。

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