武汉光迅科技股份有限公司;湖北光谷实验室熊永华获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉光迅科技股份有限公司;湖北光谷实验室申请的专利一种电吸收调制激光器芯片的结构和制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116111452B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111330717.9，技术领域涉及：H01S5/22；该发明授权一种电吸收调制激光器芯片的结构和制造方法是由熊永华;万枫;余洁;曾笔鉴;陈玲玲设计研发完成，并于2021-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电吸收调制激光器芯片的结构和制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及激光器技术领域，提供了一种电吸收调制激光器芯片的结构和制造方法。包括激光区1、隔离区2和调制区3依次耦合构成电吸收调制激光器芯片，具体的：所述激光区1、隔离区2和调制区3拥有各自的脊型波导结构；其中，位于调制区3的脊型波导结构下的量子阱宽度比激光区1的脊型波导结构下的量子阱宽度大预设值。本发明中通过采用脊形波导工艺，无需进行掺铁掩埋埋层生长，减少了外延步骤和掺铁掩埋生长导致的失效现象，具有成品率高，成本低的优点。
本发明授权一种电吸收调制激光器芯片的结构和制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电吸收调制激光器芯片的结构，其特征在于，包括激光区1、隔离区2和调制区3依次耦合构成电吸收调制激光器芯片，具体的： 所述激光区1、隔离区2和调制区3拥有各自的脊型波导结构； 其中，位于调制区3的脊型波导结构下的量子阱宽度比激光区1的脊型波导结构下的量子阱宽度大预设值； 激光区1中N型InP基底11上位于脊型波导结构下生长有激光器量子阱13，激光器量子阱13的两侧生长有调制区量子阱12，激光器量子阱13之上制作有光栅层14；光栅层14上位于脊柱结构两侧的沟道结构内填充有SiO2绝缘层18，其中，SiO2绝缘层18中间区域填充有BCB绝缘树脂16；P型InP包层15构成位于光栅层14上的脊柱结构和位于沟道结构的两外侧壁；InGaAs接触层17生长在脊波导之上用于与金属电极层19电气连接；其中，所述激光区1的脊型波导结构下的量子阱为所述激光器量子阱13； 所述预设值是根据激光区1量子阱的宽度和调制区3量子阱的大小匹配来的，其设置目的包括对接处调制器区3能吸收激光区1发出的全部光子以及减小寄生电容和结电容的影响。
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