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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利磁电阻-超导复合磁传感器的磁场调制装置及其应用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116148725B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310205119.1，技术领域涉及：G01R33/00；该发明授权磁电阻-超导复合磁传感器的磁场调制装置及其应用方法是由杜青法;胡佳飞;孙琨;柳俊威;潘孟春;李裴森;彭俊平;罗慧慧;丁增权设计研发完成，并于2023-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本磁电阻-超导复合磁传感器的磁场调制装置及其应用方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁电阻‑超导复合磁传感器的磁场调制装置及其应用方法，本发明的磁场调制装置包括绝缘基底和设于绝缘基底上的超导环，超导环上设有两个内孔，一个内孔将超导环分隔为第一超导区和第二超导区，另一个内孔将超导环分隔为第三超导区和第四超导区，第一超导区和第三超导区位于超导窄区的同一侧，第一超导区、第二超导区、第三超导区和第四超导区上均设有加热组件。本发明具有调制效率高、磁场分辨能力强，超导环可以使磁场无噪声放大千倍，加热部件加热形成的热调制效率高，针对磁电阻传感器的1f噪声有较大抑制作用，有效提高弱磁测量能力。本发明可采用MEMS工艺制备，具有体积小，实现简单、一体化程度高的优点。

本发明授权磁电阻-超导复合磁传感器的磁场调制装置及其应用方法在权利要求书中公布了：1.一种磁电阻-超导复合磁传感器的磁场调制装置，其特征在于，包括绝缘基底1和设于绝缘基底1上的超导环2，所述超导环2上设有沿长度方向通过一超导窄区21相邻布置的两个内孔22，其中一个内孔22将超导环2分隔为第一超导区23和第二超导区24，另一个内孔22将超导环2分隔为第三超导区25和第四超导区26，所述第一超导区23和第三超导区25位于超导窄区21的同一侧，所述第一超导区23、第二超导区24、第三超导区25和第四超导区26上均设有加热组件27，通过调节磁电阻-超导复合传感器的磁场调制电流控制周期以调节交流磁场频率、进而抑制磁电阻的1f噪声，以及控制超导环2的超导窄区21产生交替的磁场以实现直流磁场到交流磁场的调制：S1，在预设的第一个电流控制时间内，控制第一超导区23和第四超导区26两者的加热组件27工作，第二超导区24、第三超导区25两者的加热组件27不工作，使得第一超导区23和第四超导区26被短路，超导环2的电流依次通过第二超导区24、超导窄区21流入第三超导区25在超导窄区21上形成正方向的磁场；S2，在预设的第二个电流控制时间内，控制第一超导区23和第四超导区26、第二超导区24、第三超导区25四者的加热组件27均不工作，超导环2的电流直接通过第一超导区23流入第三超导区25，通过第二超导区24流入第四超导区26，超导窄区21上无电流通过；S3，在预设的第三个电流控制时间内，控制第一超导区23和第四超导区26两者的加热组件27不工作，第二超导区24、第三超导区25两者的加热组件27工作，使得第二超导区24、第三超导区25被短路，超导环2的电流依次通过第一超导区23、超导窄区21流入第四超导区26在超导窄区21上形成反方向的磁场。

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