中国人民解放军国防科技大学杜青法获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利超导-磁电阻复合磁传感器的量程扩展方法及测量装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116148726B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310205121.9，技术领域涉及：G01R33/00；该发明授权超导-磁电阻复合磁传感器的量程扩展方法及测量装置是由杜青法;杨澜;胡佳飞;潘孟春;李裴森;罗慧慧;丁增权;柳俊威;彭俊平设计研发完成，并于2023-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本超导-磁电阻复合磁传感器的量程扩展方法及测量装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超导‑磁电阻复合磁传感器的量程扩展方法及测量装置，本发明包括获取超导‑磁电阻复合磁传感器的输出电压，每当输出电压为饱和输出电压Vr时，向超导‑磁电阻复合磁传感器生成大小为Br2、与饱和磁场方向一致的补偿磁场，使超导‑磁电阻复合磁传感器在脉冲激励的脉冲上升沿进入饱和区、在脉冲激励的脉冲下降沿变化到线性区中间值位置，并根据最终的输出电压Vt且脉冲激励次数n以及Vx=n×Vr+Vt计算检测输出电压Vx。发明能够解决超导‑磁电阻复合磁传感器量程有限的问题，在满足结构简单、体积小的前提上能够实现对超导‑磁电阻复合磁传感器的量程扩展，从而实现高分辨力与宽量程兼容。
本发明授权超导-磁电阻复合磁传感器的量程扩展方法及测量装置在权利要求书中公布了：1.一种超导-磁电阻复合磁传感器的量程扩展方法，其特征在于，包括： S101，获取超导-磁电阻复合磁传感器在被测磁场x中的输出电压，每当输出电压增加到达饱和输出电压Vr时，向超导-磁电阻复合磁传感器的补偿线圈施加一个脉冲激励以形成大小为Br2、方向与饱和磁场方向一致的补偿磁场，使得超导-磁电阻复合磁传感器先在脉冲激励的脉冲上升沿维持在饱和区、再在脉冲激励的脉冲下降沿变化到线性区中间值位置以扩展大小为Br2的量程，其中Br为饱和磁场的大小；且在输出电压的值为小于饱和输出电压Vr的输出电压Vt且不再增加时，跳转步骤S102； S102，根据Vx=n×Vr+Vt计算得到被测磁场x对应的检测输出电压Vx，其中n为得到输出电压Vt之前施加脉冲激励的次数。
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