东京毅力科创株式会社樱井宏纪获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利基片处理方法和基片处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153775B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310155226.8，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权基片处理方法和基片处理装置是由樱井宏纪;小佐井一树;筱原和义设计研发完成，并于2021-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本基片处理方法和基片处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供能够抑制在基片表面的中心位置或其附近产生颗粒的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法具有下述A～D。A向旋转的基片表面的中心位置供给处理液。B使所述处理液的供给位置从所述中心位置移动至第一偏心位置。C使所述处理液的供给位置停止在所述第一偏心位置，向与所述第一偏心位置不同的第二偏心位置供给用于置换所述处理液的置换液。D使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向与所述中心位置相反的方向移动，并且使所述置换液的供给位置从所述第二偏心位置向所述中心位置移动。
本发明授权基片处理方法和基片处理装置在权利要求书中公布了：1.一种基片处理方法，其特征在于，包括： 向旋转的基片表面的中心位置供给处理液的步骤； 使所述处理液的供给位置从所述中心位置移动至第一偏心位置的步骤； 使所述处理液的供给位置停止在所述第一偏心位置，向与所述第一偏心位置不同的第二偏心位置供给用于置换所述处理液的置换液的步骤；和 使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向与所述中心位置相反的方向移动，并且使所述置换液的供给位置从所述第二偏心位置向所述中心位置移动的步骤。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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