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西安电子科技大学黄河获国家专利权

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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种低剖面基站天线及双极化天线阵列获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116190997B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310073599.0,技术领域涉及:H01Q1/36;该发明授权一种低剖面基站天线及双极化天线阵列是由黄河;李小平;刘彦明设计研发完成,并于2023-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

一种低剖面基站天线及双极化天线阵列在说明书摘要公布了:本发明公开了一种低剖面基站天线及双极化天线阵列,所述低剖面基站天线包括:第一辐射体、第二辐射体、上层介质板、下层介质板、金属地面和支撑柱,所述第一辐射体设置于上层介质板的顶面,所述第二辐射体设置于上层介质板的底面,且所述第一辐射体与第二辐射体的其中一个顶点相互对齐设置;所述上层介质板设置于下层介质板的顶侧,并经支撑柱相连;所述金属地面设置于所述下层介质板的底面上。通过本发明低剖面基站天线的结构设计,无需采用背景技术中提到的多辐射臂技术或者人工磁导体技术,仅依靠改变天线自身结构及工作模式调整天线输入阻抗至匹配,使得天线剖面降低至0.094λcλc为2350MHz对应的自由空间波长,并且可覆盖2010‑2690MHz宽频通信频段。

本发明授权一种低剖面基站天线及双极化天线阵列在权利要求书中公布了:1.一种低剖面基站天线,其特征在于,所述低剖面基站天线包括:第一辐射体1、第二辐射体2、上层介质板3、下层介质板4、金属地面5和支撑柱6, 所述第一辐射体1设置于上层介质板3的顶面,所述第二辐射体2设置于上层介质板3的底面,且所述第一辐射体1与第二辐射体2的其中一个顶点相互对齐设置; 所述上层介质板3设置于下层介质板4的顶侧,并经支撑柱6相连;所述金属地面5设置于所述下层介质板4的底面上; 所述第一辐射体1为通过在正方形贴片11上靠近顶角位置处设置第一扇形槽12,并在相邻两顶角位置处设置第二扇形槽13和第三扇形槽14得到; 所述第二辐射体2的形状与第一辐射体1的形状相似设置; 第一辐射体1的边长为63mm,第二辐射体2的边长为53mm; 所述第一辐射体1与第二辐射体2相互对齐的顶点位置处附近设有馈电端口,馈电端口同轴线的内芯与第一辐射体1相连,馈电端口同轴线的外层金属线与第二辐射体2相连,以完成电信号的馈入。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学,其通讯地址为:710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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