意法半导体股份有限公司F·韦尔切西获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利具有平移屏蔽结构的微机电光学遮蔽件及其制造工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116199178B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211511741.7，技术领域涉及：B81B3/00；该发明授权具有平移屏蔽结构的微机电光学遮蔽件及其制造工艺是由F·韦尔切西;N·博尼;F·塞利尼;L·奎利诺尼设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有平移屏蔽结构的微机电光学遮蔽件及其制造工艺在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及具有平移屏蔽结构的微机电光学遮蔽件及其制造工艺。MEMS遮蔽件包括：由孔径通过的半导体衬底；第一半导体层和第二半导体层，其形成固定到衬底的支撑结构；多个可变形结构，每个可变形结构由第一和第二半导体层之间的至少一个的对应部分形成；多个致动器；多个屏蔽结构，每个屏蔽结构由第一和第二半导体层之间的至少一个的对应部分形成，屏蔽结构围绕下层孔径成角度布置，以提供对孔径的屏蔽，每个屏蔽结构还经由可变形结构耦合到支撑结构。每个致动器可以被控制为在第一位置和第二位置之间平移对应屏蔽结构，从而改变对孔径的屏蔽；屏蔽结构的第一和第二位置使得在至少一个操作状态下，相邻屏蔽结构对至少部分地彼此重叠。
本发明授权具有平移屏蔽结构的微机电光学遮蔽件及其制造工艺在权利要求书中公布了：1.一种MEMS遮蔽件，包括： 衬底； 主孔径，通过所述衬底； 第一半导体层，在所述衬底上； 第二半导体层，在所述第一半导体层上； 支撑结构，由所述第二半导体层固定到所述衬底； 多个可变形结构，每个可变形结构是所述第一半导体层和所述第二半导体层中的至少一个半导体层的一部分； 多个致动器；以及 多个屏蔽结构，各自包括所述第一半导体层和所述第二半导体层中的至少一个半导体层的一部分，所述屏蔽结构围绕所述主孔径，每个屏蔽结构经由对应可变形结构与所述支撑结构机械耦合； 其中成对的相邻屏蔽结构被配置为在至少一个操作状态下至少部分地彼此重叠；以及 其中每个致动器电可控，以引起对应屏蔽结构在相应第一位置和相应第二位置之间的平移。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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