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龙图腾网获悉中芯南方集成电路制造有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230506B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111470796.3，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权半导体结构的形成方法是由李宗亮;李素云;夏圣杰;李斌生;张冬平设计研发完成，并于2021-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，包括第一区和第二区；在第一区和第二区上形成分立的核心层；在待刻蚀层上、核心层侧壁表面和顶部表面形成侧墙材料层；在第一区上相邻的核心层之间形成隔离层；在第二区上相邻的核心层之间形成牺牲层，牺牲层暴露出核心层顶部表面；以牺牲层和隔离层为掩膜，对暴露出的侧墙材料层进行刻蚀，在第一区上的核心层侧壁和待刻蚀层上形成第一侧墙结构，在第二区上的核心层侧壁形成初始第二侧墙结构，第一侧墙结构和初始第二侧墙结构的顶部表面低于核心层顶部表面；去除牺牲层；回刻蚀初始第二侧墙结构，在第二区上的核心层侧壁形成第二侧墙结构。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括第一区和第二区； 在第一区和第二区上形成若干分立的核心层； 在待刻蚀层上、核心层侧壁表面和顶部表面形成侧墙材料层； 在第一区上相邻的核心层之间形成隔离层，所述隔离层位于侧墙材料层上； 在第二区上相邻的核心层之间形成牺牲层，所述牺牲层位于侧墙材料层上，所述牺牲层暴露出核心层顶部表面； 以所述牺牲层和隔离层为掩膜，对暴露出的所述侧墙材料层进行刻蚀，在第一区上的核心层侧壁和待刻蚀层上形成第一侧墙结构，所述隔离层位于第一侧墙结构上，在第二区上的核心层侧壁形成初始第二侧墙结构，所述第一侧墙结构和初始第二侧墙结构的顶部表面低于所述核心层顶部表面； 形成第一侧墙结构和初始第二侧墙结构之后，去除所述牺牲层； 去除所述牺牲层之后，回刻蚀所述初始第二侧墙结构，在第二区上的核心层侧壁形成第二侧墙结构。

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