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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利套刻偏差的补偿方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116360220B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111613638.9，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权套刻偏差的补偿方法是由柏耸;张高颖;邱运航设计研发完成，并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本套刻偏差的补偿方法在说明书摘要公布了：一种套刻偏差的补偿方法，包括：提供待补偿晶圆，待补偿晶圆包括中心区和边缘区，中心区具有若干第一量测点，边缘区具有若干第二量测点；获取第一量测点的第一待补偿偏差、以及获取第二量测点的第二待补偿偏差；采用第一全局补偿模型对第一量测点进行第一补偿处理，获取第一已补偿信息；采用第二全局补偿模型对第二量测点进行第二补偿处理，获取第二已补偿信息；采用局部补偿模型对每个第一量测点的第一剩余偏差、以及每个第二量测点的第二剩余偏差进行第三补偿处理，获取第三已补偿信息。通过对待补偿晶圆进行三重细化补偿，分别获取第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息，能够有效提升对待补偿晶圆的补偿效果。

本发明授权套刻偏差的补偿方法在权利要求书中公布了：1.一种套刻偏差的补偿方法，其特征在于，包括： 提供待补偿晶圆，所述待补偿晶圆包括中心区、以及包围所述中心区的边缘区，所述中心区具有若干第一量测点，所述边缘区具有若干第二量测点； 获取所述第一量测点的第一待补偿偏差、以及获取所述第二量测点的第二待补偿偏差； 采用第一全局补偿模型对每个所述第一量测点的第一待补偿偏差进行第一补偿处理，以使每个所述第一量测点具有第一剩余偏差，获取第一已补偿信息； 在所述第一补偿处理之后，采用第二全局补偿模型对每个所述第二量测点的第二待补偿偏差进行第二补偿处理，以使每个所述第二量测点具有第二剩余偏差，获取第二已补偿信息； 在所述第二补偿处理之后，采用局部补偿模型对每个所述第一量测点的第一剩余偏差、以及每个所述第二量测点的第二剩余偏差进行第三补偿处理，获取第三已补偿信息；其中， 获取所述第三已补偿信息的方法包括：提供偏差阈值；采用局部补偿模型对每个所述第一量测点的第一剩余偏差、以及每个所述第二量测点的第二剩余偏差进行第三补偿处理，直至所述第一量测点的剩余偏差、以及所述第二量测点的剩余偏差小于或等于所述偏差阈值为止，获取所述第三已补偿信息； 采用局部补偿模型对每个所述第二量测点的第二剩余偏差进行第三补偿处理，以减少对每个所述第二量测点的过补偿。

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