湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司黄学良获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司申请的专利抛光垫、研磨设备及制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116408722B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111634111.4，技术领域涉及：B24B37/22；该发明授权抛光垫、研磨设备及制造半导体器件的方法是由黄学良;王淑芹;王欢;王腾;张季平;朱顺全设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本抛光垫、研磨设备及制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了涉及半导体的化学机械抛光技术领域的抛光垫、研磨设备及制造半导体器件的方法。所述抛光垫具有抛光面，自抛光面圆心向外周缘方向，在抛光面上至少依次设置第一环状研磨单元群、第二环状研磨单元群和第三环状研磨单元群；所述第二环状单元群的研磨面积比＞第一环状研磨单元群的研磨面积比，第二环状单元群的研磨面积比＞第三环状研磨单元群的研磨面积比。利用本发明提供的抛光垫研磨晶片，能获得优异研磨速率、低的研磨速率不均一性和低表面缺陷的晶片。
本发明授权抛光垫、研磨设备及制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种抛光垫，其特征在于，所述抛光垫具有抛光面，自抛光面圆心向外周缘方向，在抛光面上至少依次设置第一环状研磨单元群、第二环状研磨单元群和第三环状研磨单元群；所述第二环状研磨单元群的研磨面积比＞第一环状研磨单元群的研磨面积比，第二环状研磨单元群的研磨面积比＞第三环状研磨单元群的研磨面积比； 所述第二环状研磨单元群的宽度R2为被研磨材料直径DW的0.33~0.67； 所述第一环状研磨单元群的相邻环状沟槽间距D1＜第二环状研磨单元群的相邻环状沟槽间距D2，第三环状研磨单元群的相邻环状沟槽间距D3＜第二环状研磨单元群的相邻环状沟槽间距D2，其中，D1和D3相等或不等。
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