东科半导体(安徽)股份有限公司谢勇获国家专利权
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龙图腾网获悉东科半导体(安徽)股份有限公司申请的专利一种同步整流芯片的开通关断控制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116683742B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310741577.7,技术领域涉及:H02M1/08;该发明授权一种同步整流芯片的开通关断控制方法是由谢勇;程兆辉;赵少峰设计研发完成,并于2023-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种同步整流芯片的开通关断控制方法在说明书摘要公布了:本发明实施例涉及一种同步整流芯片的开通关断控制方法。实时检测VSW,VSW为同步整流芯片内部金属氧化物半导体场效应管MOSFET的开关电压;当VSW高于设定参考电压Vo时,从当前时间开始进行积分计算,将电压高于Vo的区域面积进行累加,并记为S1,直至当前采样周期结束;在下个采样周期开始后,将VSW与Vo进行比较,当VSW高于参考电压Vo时,开始进行积分计算,直至下个采样周期结束,将这段时间内的电压高于Vo的区域面积进行累加,并记为S2;当出现VSW<‑200mV时,如果S1<S2,生成开通控制信号控制同步整流芯片开通,否则不开通;开通后,利用超快速比较器来检测输入信号的过零点,并在过零点触发关断操作。
本发明授权一种同步整流芯片的开通关断控制方法在权利要求书中公布了:1.一种同步整流芯片的开通关断控制方法,其特征在于,所述方法包括: 实时检测VSW,所述VSW为同步整流芯片内部金属氧化物半导体场效应管MOSFET的开关电压; 当VSW高于设定参考电压Vo时,从当前时间开始进行积分计算,将电压高于Vo的区域面积进行累加,并记为S1,直至当前采样周期结束; 在下个采样周期开始后,将VSW与Vo进行比较,当VSW高于参考电压Vo时,开始进行积分计算,直至下个采样周期结束,将这段时间内的电压高于Vo的区域面积进行累加,并记为S2; 当出现VSW<-200mV时,如果S1<S2,生成开通控制信号控制同步整流芯片开通,否则不开通; 开通后,利用超快速比较器来检测输入信号的过零点,并在过零点触发关断操作。
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