美光科技公司周卫获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于细间距和薄BLT互连的基于焊料的混合接合获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116705630B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310193088.2，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权用于细间距和薄BLT互连的基于焊料的混合接合是由周卫设计研发完成，并于2023-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于细间距和薄BLT互连的基于焊料的混合接合在说明书摘要公布了：本公开涉及用于细间距和薄BLT互连的基于焊料的混合接合。一种半导体装置组件，其包括第一半导体装置，第一半导体装置包含具有前侧表面的第一衬底、位于第一衬底的前侧表面上的多个焊料凸块以及在前侧表面上的第一聚合物层。半导体装置组件还包括第二半导体装置，第二半导体装置包含具有背侧表面的第二衬底、从第二衬底的背侧表面突出的多个TSV以及在第一衬底的背侧表面上的第二聚合物层，第二聚合物层具有对应于多个TSV的多个开口。第一和第二半导体装置接合以使得第一聚合物层接触第二聚合物层，并且多个焊料凸块中的每一者延伸到多个开口中的对应一者中并接触多个TSV中的对应一者。
本发明授权用于细间距和薄BLT互连的基于焊料的混合接合在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置组件，其包括： 第一半导体装置，其包含： 第一衬底，其具有前侧表面， 多个焊料凸块，其位于所述第一衬底的所述前侧表面上，和 第一聚合物层，其在所述第一衬底的所述前侧表面上；以及 第二半导体装置，其包含： 第二衬底，其具有背侧表面， 多个硅穿孔TSV，其从所述第二衬底的所述背侧表面突出，和 第二聚合物层，其在所述第一衬底的所述背侧表面上，所述第二聚合物层具有对应于所述多个TSV的多个开口，每个开口具有大于所述多个焊料凸块的体积的体积， 其中所述第一半导体装置和所述第二半导体装置接合以使得所述第一聚合物层接触所述第二聚合物层，并且所述多个焊料凸块中的每一者延伸到所述多个开口中的对应一者中并接触所述多个TSV中的对应一者。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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