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龙图腾网获悉杭州国芯科技股份有限公司申请的专利电池管理系统电压检测选通电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116819163B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311042560.9，技术领域涉及：G01R19/00；该发明授权电池管理系统电压检测选通电路是由梁骏;王晓虎;叶丰;章南;陈余浪;杨智健;李俊立;赵丹;郭屹粟设计研发完成，并于2023-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本电池管理系统电压检测选通电路在说明书摘要公布了：本发明公开了电池管理系统电压检测选通电路，置于电池检测芯片电压采集前端，用于电池单元的选通。本发明包括多个高压开关，每个高压开关的电压输入端连接对应电池单元的正极，使能端连接电池管理系统对应的电压选通使能信号输出端，所有高压开关的输出端连接，作为电路的电压输出端。所有高压开关的电流偏置端连接偏置电阻的一端，所有高压开关的电压偏置端连接偏置电阻的另一端，并连接NMOS管的栅极和漏极。每个高压开关结构相同，包括四个高压PMOS管、两个高压NMOS管、一个低压NMOS管和三个二极管。本发明消除了信号通路上由静态电流在开关内阻上引入的误差，提高了电压采样的精度，以及不同通道间的电压采样一致性。

本发明授权电池管理系统电压检测选通电路在权利要求书中公布了：1.电池管理系统电压检测选通电路，其特征在于：包括偏置电路和多个高压开关K；每个高压开关的电压输入端Vin连接对应电池单元的正极，使能端EN连接电池管理系统对应该电池单元的电压选通使能信号输出端，所有高压开关K的输出端连接，作为电路的电压输出端Vout； 所述的偏置电路包括一个NMOS管N和一个偏置电阻R；所有高压开关K的电流偏置端Ib连接偏置电阻R的一端，所有高压开关K的电压偏置端Vb连接偏置电阻R的另一端，并连接NMOS管N的栅极和漏极，NMOS管N的源极接地； 每个高压开关K结构相同，包括四个高压PMOS管、两个高压NMOS管、一个低压NMOS管和三个二极管；第一高压PMOS管P1的源极、第二高压PMOS管P2的源极、第一高压NMOS管N1的栅极接第一二极管D1的正极和第二二极管D2的负极，第一高压PMOS管P1的漏极作为高压开关K的电压输入端Vin，第二高压PMOS管P2的漏极作为高压开关K的输出端；第一二极管D1的负极接第三二极管D3的正极；第一高压PMOS管P1的栅极、第二高压PMOS管P2的栅极、第三高压PMOS管P3的漏极、第一高压NMOS管N1的源极、第二高压NMOS管N2的漏极接第二二极管D2的正极和第三二极管D3的负极；第一高压NMOS管N1的漏极、第三高压PMOS管P3的源极和第四高压PMOS管P4的源极接电池组的最高电位VDD；第三高压PMOS管P3的栅极、第四高压PMOS管P4的栅极和漏极连接，作为高压开关K的电流偏置端Ib；第二高压NMOS管N2的源极接低压NMOS管N3的漏极，低压NMOS管N3的源极接地；低压NMOS管N3的栅极作为高压开关K的电压偏置端Vb，第二高压NMOS管N2的栅极作为高压开关K的使能端EN； 所述的高压PMOS管和高压NMOS管的漏极与栅极可承受压差大于等于电池组的最高电压；所述的低压NMOS管的漏极与栅极可承受压差小于10V。

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