中国工程物理研究院电子工程研究所李若雪获国家专利权
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龙图腾网获悉中国工程物理研究院电子工程研究所申请的专利一种W波段波导密封结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116864949B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310871333.0，技术领域涉及：H01P5/107；该发明授权一种W波段波导密封结构是由李若雪;蒋均;黄昆;何月;田遥岭;岑冀娜;成彬彬设计研发完成，并于2023-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种W波段波导密封结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种新型的W波段波导密封结构，该结构采用三维堆叠式结构，该结构共分为四层，其中位于外侧两层为夹具，位于中间两层为密封模块；介质基片采用三层焊接结构焊接在密封模块中间的空腔内。本发明的新型的W波段波导密封结构无需其他转换、过渡结构即可直接用于实测或射频传输系统的连接；同时充分考虑工艺的可操作性，易于装配，装配误差小于5μm。采用本申请提供的新型的W波段波导密封结构，能够实现结构气密封装、宽带宽和低插损的性能。
本发明授权一种W波段波导密封结构在权利要求书中公布了：1.一种W波段波导密封结构，其特征在于，所述结构包括：夹具、位于夹具中间的密封模块以及位于密封模块中间空腔内的介质基片； 所述夹具为分瓣式上下两层，其中下瓣夹具侧面设置波导入口孔； 所述密封模块包括上下两层密封块，上下两层密封块相对的表面均开设空腔，其中下密封块空腔内设置有波导通孔，上密封块空腔内设焊料槽； 所述介质基片为H面探针，其介质面垂直于波导传输方向且居中焊接固定在下密封块的空腔中，介质基片覆盖从密封块波导通孔引入的波导口； 所述介质基片上设置信号传输区、可焊区域和阻焊区域，其中介质基片中间镀金微带线作为信号传输区，连接从密封块波导通孔引入的输入波导口和输出波导口，介质基片边缘镀金区域作为可焊区，信号传输区和可焊区域之间的裸片作为阻焊区域； 所述密封模块与介质基片之间采用三层焊接结构，通过底层焊料实现下密封块腔体与介质基片的连接，采用中间层焊料实现介质基片定位，通过上层焊料实现介质基片与上密封块的密封焊接。
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