北京超弦存储器研究院;长鑫科技集团股份有限公司尹晓明获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院;长鑫科技集团股份有限公司申请的专利一种半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116940111B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210369163.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其制备方法是由尹晓明;周俊;王桂磊设计研发完成，并于2022-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构及其制备方法。所述一种半导体结构，包括：层叠设置的衬底、第一结构和第二结构；所述第一结构包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管包括第一晶体管源极、第一晶体管沟道、第一晶体管栅极和第一晶体管漏极，所述第二晶体管包括第二晶体管源极、第二晶体管沟道、第二晶体管栅极和第二晶体管漏极，所述第一晶体管沟道为凹字型结构，第一晶体管栅极位于第一晶体管沟道的凹型结构内，所述第二晶体管沟道为凹型结构，第二晶体管栅极位于第二晶体管沟道的凹型结构内；第二结构，所述第二结构包括第一连接线，所述第一连接线被配置成电连接所述第一晶体管漏极和所述第二晶体管栅极。
本发明授权一种半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括： 层叠设置的衬底、第一结构和第二结构；所述衬底沿水平方向布置； 所述第一结构包括沿水平方向布置的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管包括第一晶体管源极、第一晶体管沟道、第一晶体管栅极和第一晶体管漏极，所述第二晶体管包括第二晶体管源极、第二晶体管沟道、第二晶体管栅极和第二晶体管漏极，所述第一晶体管沟道为凹字型结构，所述第一晶体管栅极位于所述第一晶体管沟道的凹字型结构内，所述第二晶体管沟道为凹字型结构，所述第二晶体管栅极位于所述第二晶体管沟道的凹字型结构内；所述第一晶体管源极、所述第一晶体管沟道、所述第一晶体管漏极、所述第二晶体管源极、所述第二晶体管沟道和所述第二晶体管漏极沿水平方向布置； 所述第二结构包括第一连接线，所述第一连接线被配置成电连接所述第一晶体管漏极和所述第二晶体管栅极。
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