北京鑫跃微半导体技术有限公司;芜湖鑫跃微半导体有限公司禹在昌获国家专利权
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龙图腾网获悉北京鑫跃微半导体技术有限公司;芜湖鑫跃微半导体有限公司申请的专利晶圆箱模具、晶圆箱制备方法以及晶圆箱获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116968268B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311057361.5，技术领域涉及：B29C45/26；该发明授权晶圆箱模具、晶圆箱制备方法以及晶圆箱是由禹在昌;张亮设计研发完成，并于2023-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆箱模具、晶圆箱制备方法以及晶圆箱在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种晶圆箱模具、晶圆箱制备方法以及晶圆箱，晶圆箱模具用于制备晶圆箱，晶圆箱包括箱体以及与箱体连接的支撑连接器，晶圆箱模具包括主体，主体具有型腔、凹槽以及容纳槽，型腔用于成型箱体，凹槽与型腔连通，容纳槽位于凹槽的槽底，且与凹槽连通；容纳槽用于安装支撑连接器，利用凹槽的侧壁对支撑连接器的熔融材质进行阻挡，以使得支撑连接器的熔融材质停留在凹槽内，从而降低支撑连接器的熔融材质大面积扩散的概率，以提高晶圆箱的成品良率。
本发明授权晶圆箱模具、晶圆箱制备方法以及晶圆箱在权利要求书中公布了：1.一种晶圆箱模具，其特征在于，用于制备晶圆箱，所述晶圆箱包括箱体以及与所述箱体连接的支撑连接器，所述晶圆箱模具包括： 主体，所述主体具有型腔、凹槽以及容纳槽，所述型腔用于成型所述箱体，所述凹槽与所述型腔连通，所述容纳槽位于所述凹槽的槽底，且与所述凹槽连通；所述容纳槽用于安装所述支撑连接器；所述容纳槽具有两个相对设置的侧壁，两个所述侧壁之间具有第一距离，沿所述凹槽的槽底指向凹槽的槽口的方向，所述第一距离逐渐增大；所述凹槽的槽底具有第一中心点，所述容纳槽的槽口具有第二中心点，沿所述凹槽的槽底指向凹槽的槽口的方向，所述第一中心点与所述第二中心点位于同一直线上；在成型所述箱体时，所述凹槽的侧壁用于阻挡所述支撑连接器处于熔融状态的局部区域扩散至所述型腔。
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