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龙图腾网获悉苏州光昛智能科技有限公司申请的专利一种全固态电致变色器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117031843B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311000258.7，技术领域涉及：G02F1/15；该发明授权一种全固态电致变色器件及其制备方法是由国星;赵勇;秦龙飞设计研发完成，并于2023-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种全固态电致变色器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种全固态电致变色器件及其制备方法，属于电致变色器件技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤，S1、在衬底上沉积下导电层，S2、在下导电层上沉积离子阻挡层；S3、在离子阻挡层上沉积电致变色致密过渡层；S4、在电致变色致密过渡层上沉积电致变色层；S5、在电致变色层上沉积离子传导层；S6、在离子传导层上沉积反电极层；S7、在反电极层上沉积反电极致密过渡层；S8、在反电极致密过渡层上沉积上导电致密层。利用脉冲磁控溅射和脉冲偏压电源制备全固态电致变色器件中的过渡缓冲层，部分采用基片增加偏压电源及脉冲偏压使器件耐锂离子冲击能力更强，实现较为连续和均匀的颜色变化，实现优异电致变色效果。

本发明授权一种全固态电致变色器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种全固态无机电致变色器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤， S1、在衬底上沉积厚度为100nm-800nm的下导电层， S2、以阴极采用脉冲磁控溅射电源，基片采用脉冲负偏压电源的方式，在S1所述的下导电层上沉积厚度为1nm-50nm的离子阻挡层，沉积的工艺参数为：靶电压为200V-800V，靶电源震荡频率为1kHz-10kHz；基片脉冲负偏压为-300V至-50V，占空比为20％-90％，基片电源频率为1kHz-50kHz； S3、在S2所述的离子阻挡层上沉积厚度为10nm-350nm的电致变色致密过渡层； S4、在S3所述的电致变色致密过渡层上沉积厚度为200nm-500nm的电致变色层； S5、以阴极采用脉冲磁控溅射电源，基片采用脉冲正偏压电源的方式，在S4所述的电致变色层上沉积厚度为15nm-300nm的离子传导层，沉积的工艺参数为：阴极电源频率为2KHz-100KHz，工艺气压为1.5Pa-4.5Pa，溅射靶材功率密度为1Wcm2-6Wcm2；基片电源正偏压为0V-100V，基片电源频率为0KHz-100KHz； S6、在S5所述的离子传导层上沉积厚度为100nm-450nm的反电极层； S7、在S6所述的反电极层上沉积厚度为10nm-350nm的反电极致密过渡层； S8、在S7所述的反电极致密过渡层上沉积厚度为100nm-900nm的上导电致密层，得到所述的全固态无机电致变色器件； 在S4和S6中，以阴极采用磁控溅射阴极电源的方式进行沉积，沉积的工艺参数独立地为： 阴极电源频率为2KHz-100KHz，氩气和氧气的流量比为1-300：1，工艺气压为0.1Pa-5Pa，溅射靶材功率密度为1Wcm2-60Wcm2； 或 阴极电源脉冲电压为-100V到-1000V，电源振荡频率为5KHz-800KHz，电源开断频率为5Hz-1000Hz，脉冲占空比为1％-90％，氩气和氧气的流量比为1-100：1，工艺气压为0.1Pa-5Pa，溅射靶材功率密度为2Wcm2-60Wcm2； 在S3、S7和S8中，以阴极采用磁控溅射阴极电源，基片采用脉冲负偏压电源的方式进行沉积，沉积的工艺参数独立地为： 阴极电源频率为2KHz-100KHz，氩气和氧气的流量比为1-300：1，工艺气压为0.1Pa-5Pa，溅射靶材功率密度为1Wcm2-60Wcm2；基片电源负偏压为-250V至-10V，基片电源频率为0KHz-50KHz； 或 阴极电源脉冲电压为-100V到-1000V，电源振荡频率为5KHz-800KHz，电源开断频率为5Hz-1000Hz，脉冲占空比为1％-90％，氩气和氧气的流量比为1-100：1，工艺气压为0.1Pa-5Pa，溅射靶材功率密度为2Wcm2-60Wcm2；基片电源负偏压为-500V至-5V，基片电源频率为0Hz-1000Hz，基片占空比为20％-90％。

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