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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利感测放大器中的预感测核心节点放大获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117153206B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310268398.6，技术领域涉及：G11C7/06；该发明授权感测放大器中的预感测核心节点放大是由H·T·武;C·K·莫尔扎诺;C·J·卡瓦姆拉;C·L·英戈尔斯设计研发完成，并于2023-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本感测放大器中的预感测核心节点放大在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及感测放大器中的预感测肠节点放大。存储器装置包含配置成存储数据的多个存储器单元。存储器装置还包含各自配置成将数据携载到相应存储器单元和从相应存储器单元携载数据的多个数字线。存储器装置进一步包含多个感测放大器，其各自选择性耦合到相应数字线，且包含第一和第二NMOS晶体管及分别耦合到第一和第二NMOS晶体管的第一和第二肠节点。每一感测放大器配置成通过在第一和第二肠节点处存储与第一和第二NMOS晶体管的相应阈值电压成比例的相应电压来对第一和第二NMOS晶体管执行阈值补偿。感测放大器还通过至少部分地基于数字线的相应电荷而对第一肠节点充电且使第二肠道节点放电来放大第一肠节点与第二肠节点之间的差分电压。

本发明授权感测放大器中的预感测核心节点放大在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包括： 多个存储器单元，其配置成存储数据； 多个数字线，其各自配置成将数据携载到所述多个存储器单元中的相应存储器单元和从所述相应存储器单元携载数据；及 多个感测放大器，其各自选择性地耦合到所述多个数字线中的相应数字线，且包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管以及分别耦合到所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管的第一核心节点和第二核心节点，其中每一感测放大器配置成： 对所述第一核心节点充电第一电压，所述第一电压至少部分地补偿由工艺、电压或温度波动引起的所述第一NMOS晶体管的阈值电压波动且与所述第一NMOS晶体管的所述阈值电压成比例； 对所述第二核心节点充电第二电压，所述第二电压至少部分地补偿由工艺、电压或温度波动引起的所述第二NMOS晶体管的阈值电压波动且与所述第二NMOS晶体管的所述阈值电压成比例； 通过至少部分地基于来自所述多个数字线的相应电荷而对所述第一核心节点充电且使所述第二核心节点放电来放大所述第一核心节点与所述第二核心节点之间的差分电压；及 将所述放大的差分电压作为差分信号发送到所述多个数字线中的相应数字线。

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