深圳市华星光电半导体显示技术有限公司武凡靖获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板及显示面板的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117479672B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211734890.X,技术领域涉及:H10K59/123;该发明授权显示面板及显示面板的制造方法是由武凡靖;胡靖源设计研发完成,并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板及显示面板的制造方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种显示面板及显示面板的制造方法,显示面板包括:基底;阳极和辅助电极,同层设置于基底上;像素定义层,设置于阳极和辅助电极上,像素定义层包括通孔和开口,开口露出阳极;发光公共层,设置于阳极和像素定义层上;阴极,设置于发光公共层上;其中,通孔露出辅助电极的至少部分侧端面,发光公共层在通孔部位处断开,阴极在通孔部位处连接辅助电极的侧端面。本申请通过像素定义层的通孔露出辅助电极的至少部分侧端面,发光公共层在通孔部位处断开,阴极在通孔部位处连接辅助电极的侧端面,从而使得阴极连接辅助电极,可以降低阴极的电阻,避免了电流压降产生,防止显示面板有明显的亮度不均匀现象。
本发明授权显示面板及显示面板的制造方法在权利要求书中公布了:1.一种显示面板,其特征在于,包括: 基底; 阳极和辅助电极,同层设置于所述基底上; 像素定义层,设置于所述阳极和所述辅助电极上,所述像素定义层包括通孔和开口,所述开口露出所述阳极; 发光公共层,设置于所述阳极和所述像素定义层上; 阴极,设置于所述发光公共层上; 其中,所述通孔露出所述辅助电极的至少部分侧端面,所述发光公共层在所述通孔部位处断开,所述阴极在所述通孔部位处连接所述辅助电极的所述侧端面,所述辅助电极的所述侧端面与所述通孔的侧壁位于同一平面; 所述阳极和所述辅助电极均包括第一子金属层,所述辅助电极还包括层叠设置于所述第一子金属层上的第二子金属层。
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