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龙图腾网获悉西北有色金属研究院申请的专利一种制备梯度W-Ta合金纳米薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117488263B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311593688.4，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种制备梯度W-Ta合金纳米薄膜的方法是由黄丽;张文;高选乔;李延超;薛建嵘;林小辉;梁静;徐海龙;李建峰设计研发完成，并于2023-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备梯度W-Ta合金纳米薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种制备梯度W‑Ta合金纳米薄膜的方法，该方法包括：一、清洁W靶材、Ta靶材及单晶Si基底；二、将清洁后的W靶材、Ta靶材和单晶Si基底安装在磁控溅射设备的腔体内，得到装配磁控溅射设备；三、将装配磁控溅射设备的腔体内抽真空；四、对各靶材进行预溅射；五、溅射得到梯度WTa合金纳米薄膜。本发明通过控制靶材和Ta靶材的安装电源位置，并控制溅射过程中直流电源和射频电源的工艺参数，在基地上依次沉积硬基底层、中间层和软表面层，得到表韧‑芯硬的梯度WTa合金纳米薄膜，而在保证强度的前提下，提升了WTa合金的室温塑性变形能力，该方法高效、便捷，可控性高。

本发明授权一种制备梯度W-Ta合金纳米薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备梯度W-Ta合金纳米薄膜的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 步骤一、清洁W靶材、Ta靶材及单晶Si基底； 步骤二、将步骤一中清洁后的W靶材、Ta靶材和单晶Si基底安装在磁控溅射设备的腔体内，其中，清洁后的W靶材安装在磁控溅射设备的直流电源一端，清洁后的Ta靶材安装在磁控溅射设备的射频电源一端，清洁后的单晶Si基安装在溅射台位置，得到装配磁控溅射设备； 步骤三、将步骤二中得到的装配磁控溅射设备的腔体内抽真空，得到抽真空磁控溅射设备； 步骤四、将步骤三中得到的抽真空磁控溅射设备的直流电源和射频电源开启，对各靶材进行预溅射，得到具有预溅射靶材的抽真空磁控溅射设备； 步骤五、将步骤四中得到的具有预溅射靶材的抽真空磁控溅射设备的直流电源和射频电源再次开启，采用预溅射后的各靶材对单晶Si基底进行溅射，在单晶Si基底表面得到梯度WTa合金纳米薄膜；所述溅射过程中开启并调节直流电源的功率为155W~165W，关闭射频电源进行溅射沉积30min，在单晶Si基底形成硬基底层，然后提高射频电源的功率为85W~95W继续溅射沉积10min，在基底层上形成中间层，再提高射频电源的功率为155W~165W继续溅射沉积20min，在中间层上形成软表面层，得到梯度W-Ta合金纳米薄膜。

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